公开(公告)号：CN118050954A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311347353.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任相均 ,  蔡承龙 ,  徐也隐 ,  成太根 ,  李旻映 ,  金智敏

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物，包含由化学式1表示的有机锡化合物和溶剂；以及一种使用其形成图案的方法。

公开(公告)号：CN110780536B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910694739.X

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  金宰贤 ,  罗隆熙 ,  南宫烂 ,  田桓承 ,  蔡承龙

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物，以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统，其中，在化学式1中，R1是脂族烃基、芳族烃基或‑亚烷基‑O‑烷基，且R2到R4分别独立地选自‑ORa及‑OC(＝O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]

公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN111856879A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。