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公开(公告)号：CN1921124A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610110090.5
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1897223A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610121417.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/00 , B23K26/073
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 本发明公开了一种用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法、在该方法中使用的掩模以及利用该用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法制造平板显示装置的方法。一些实施例能够提供这样的显示设备，其中多晶薄膜被均匀结晶以减少亮度的不均匀。在用于薄膜晶体管的多晶薄膜的形成方法中，非晶材料利用激光和具有一个或多个透射区域组混合结构的掩模结晶，该透射区域组每个都包括一个或多个激光光束能够穿过的透射区域和一个或多个激光光束不能穿过的非透射区域。激光光束被引导到材料的重叠区域。
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公开(公告)号：CN1617300A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100598.8
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , B23K26/00 , C30B28/00
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/22 , C30B29/06 , C30B29/605 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/78672
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制造方法，该方法通过使用具有激光透射区和非透射区混合结构的掩模而能够利用激光得到均匀结晶的多晶硅薄膜，其中激光透射区基于激光扫描方向轴线不对称，激光透射区基于某一中心轴线对称，将激光透射区在平行于该中心轴线的另一轴线的方向上移动一定距离，从而使激光透射区和非激光透射区交替地设置。
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公开(公告)号：CN1540602A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410003283.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3297 , H01L29/04 , H01L29/0684 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。
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公开(公告)号：CN100419816C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410003283.1
申请日：2004-02-03
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02675 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1233 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3297 , H01L29/04 , H01L29/0684 , H01L29/78696
Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1324540C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410005025.7
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30 , G09G3/00 , H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/13454 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。
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公开(公告)号：CN1975542A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610121898.3
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
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公开(公告)号：CN1577418A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071242.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
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公开(公告)号：CN1574354A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410004153.X
申请日：2004-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/092 , G02F1/136 , G09G3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约－30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。
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