多层电容器和其上安装有该多层电容器的基板

    公开(公告)号:CN114255989A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202110850226.0

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和其上安装有该多层电容器的基板。所述多层电容器包括电容器主体以及第一外电极和第二外电极,所述电容器主体包括第一表面至第六表面,并且包括介电层、第一内电极和第二内电极。所述第一外电极包括第一烧结层和第一镀层,所述第二外电极包括第二烧结层和第二镀层。绝缘层设置在所述电容器主体上,以覆盖所述第一烧结层的第一带部的端部以及所述第二烧结层的第二带部的端部,并且具有10μm或更大的最大厚度。所述第一烧结层的所述第一带部的一部分从所述绝缘层暴露。所述第二烧结层的所述第二带部的一部分从所述绝缘层暴露。

    多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN111063540A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910193560.6

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括:制备陶瓷生片;通过将包括导电粉末的用于内电极的膏体涂敷到所述陶瓷生片形成内电极图案;通过层叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片形成陶瓷层叠结构;通过烧结所述陶瓷层叠结构形成包括介电层和内电极的主体;以及通过在所述主体上形成电极层并在所述电极层上形成导电树脂层形成外电极,并且所述导电粉末包括导电金属和锡(Sn),并且锡(Sn)的基于所述导电金属的重量的含量为1.5wt%或更高。

    多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN110838406B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN201811464898.2

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括:制备陶瓷生片;通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案,所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层;通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构;以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量,Cu的含量等于或大于0.2wt%。

    多层陶瓷电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110544586B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN201811494288.7

    申请日:2018-12-07

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括陶瓷主体,所述陶瓷主体包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极彼此面对并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。所述第一内电极和所述第二内电极包括导电金属和添加剂。在所述陶瓷主体的长度‑厚度(L‑T)平面中的截面中,所述陶瓷主体的上部和下部中的所述第一内电极和所述第二内电极中的添加剂的含量与所述陶瓷主体的中部中的所述第一内电极和所述第二内电极中的添加剂的含量的比为约0.63至约1.03。

    多层电子组件
    18.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114530330A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202111362779.8

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,内电极与介电层交替设置;以及设置在主体上的外电极,其中,外电极中的每一个包括:连接到内电极的电极层;第一金属间化合物层,设置在电极层上并且包括Cu3Sn;第二金属间化合物层,设置在第一金属间化合物层上并且包括Cu6Sn5;以及导电树脂层,设置在第二金属间化合物层上并包括导电连接部、多个金属颗粒和基体树脂,所述导电连接部包括低熔点金属,并且第一金属间化合物层的平均厚度为0.5μm至2.5μm。

    多层陶瓷电子组件
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114464455A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202111301141.3

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替地堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极连接到所述第一内电极,所述第二外电极连接到所述第二内电极,其中,所述介电层包括硅(Si),所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极包括Si和导电金属,并且包括在所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极的Si的平均含量(B)(wt%)与包括在所述介电层中的Si的平均含量(A)(wt%)的比值(B/A)大于等于0.99且小于等于1.41。

    多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN110838406A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201811464898.2

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括:制备陶瓷生片;通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案,所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层;通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构;以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量,Cu的含量等于或大于0.2wt%。

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