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公开(公告)号:CN106169439B
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN201610329900.X
申请日:2016-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本公开提供了布线结构、形成布线结构的方法以及半导体器件。一种布线结构包括:基板;下绝缘层,在基板上;下布线,在下绝缘层中;第一蚀刻停止层,覆盖下布线并包括含金属的电介质材料;以及第二蚀刻停止层,在第一蚀刻停止层和下绝缘层上;绝缘夹层,在第二蚀刻停止层上;以及导电图案,延伸穿过绝缘夹层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下布线。
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公开(公告)号:CN103019050B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201210357232.3
申请日:2012-09-24
CPC classification number: G03F7/168 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯,其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。
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