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公开(公告)号：CN101012334A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610063978.8
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L83/00 , C08K5/56 , H01B3/18 , H01B3/46 , H01L51/05 , H01L51/40 , C08L29/00 , C08L47/00 , C08L71/00
CPC classification number: H01L51/052 , H01L21/02126 , H01L21/02175 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。
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公开(公告)号：CN1967103A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144610.4
申请日：2006-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25C5/12 , F25C2400/10 , F25C2600/02 , F25C2600/04 , F25D23/126
Abstract: 一种冰箱的控制方法，所述冰箱包括：储存和排出冰块的储冰部；刨削从所述储冰部排出的冰块以制作刨冰的刨冰单元；向所述刨冰单元供应储存在所述储冰部内的冰块的冰输送驱动部；以及驱动所述刨冰单元以制作刨冰的刨冰单元驱动部，所述控制方法包括步骤：为所述冰输送驱动部设定打开/关闭参考时间，以便所述冰输送驱动部按照预定的操作周期操作；在所述刨冰单元驱动部被停止时，存储从所述冰输送驱动部的最后操作周期开始经过的最后打开/关闭时间；以及在所述刨冰单元驱动部被再次驱动时，驱动所述冰输送驱动部从最后操作周期剩余的最后打开/关闭时间，且然后按照所述操作周期驱动所述冰输送驱动部。
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公开(公告)号：CN1622362A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095369.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/10 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底、栅极、栅极绝缘层、有机半导体层、源极－漏极和保护层的有机薄膜晶体管，其中在有机半导体层和保护层之间插入缓冲层。该晶体管使得因含有氧气和湿气的环境气体所引起的对晶体管性能的劣化和安装显示器件期间所引起的晶体管性能的下降减至最小。
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公开(公告)号：CN1573543A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048459.5
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/165 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0047 , G03F7/016 , G03F7/027 , Y10S430/117
Abstract: 光敏金属纳米颗粒和用其形成导电图案的方法，其中，具有末端活性基团的硫醇或异氰化物化合物的自组装单分子层形成于光敏金属纳米颗粒表面上，并且光敏基团引入到该末端活性基团。所述光敏金属纳米颗粒通过暴露在光下能够容易地形成具有优异导电率的导电性膜或图案，因此，可以用于以下领域：抗静电的可洗的粘性垫子或鞋子、导电性聚氨酯印刷机滚筒、电磁干扰屏蔽等。
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公开(公告)号：CN1332855A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN99815419.9
申请日：1999-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/125
Abstract: 提供了一种光耦合器及其制造方法。该光耦合器具有一输入光波导(Ⅰ)和N个输出光波导(O1、O2、…),并且将从输入光波导(Ⅰ)接收到的光信号分割成N个光信号。该光耦合器还包括:多个Y型接头光波导,其以m个级配置,用于在每一级中将接收到的光信号分支为两个光信号;和多个弯曲的光波导,其交替地连接到Y型接头光波导,至少一个弯曲光波导连接在第m级中Y型接头光波导和输出光波导之间,其中,当光信号的引导方向被设置为纵轴,并且输入光波导与第一级Y型接头光波导之间的接头被设置为开始点时,确定Y型接头光波导和弯曲光波导的位置和尺寸,以便使范围从开始点至每个输出光波导的N个路径中的最长路径最小。光耦合器是采用Y型接头光波导模块(J11、J12、…)连接光波导模块(B11、B21、…)制造的,从而能够设计各种Y型接头光波导结构。另外,提高了模块布局的自由度,从而使光耦合器的设计容易。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1261675A
公开(公告)日：2000-08-02
申请号：CN00101652.0
申请日：2000-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/14
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/305 , G02B2006/12069 , G02B2006/12097
Abstract: 公开了一种模式形状转换器及其制造方法和利用该部件的集成光学器件。模式形状转换器插入在包含于光学器件中的功能执行单元的输入端子或输出端子与光纤之间、并适合于把光纤模式与功能执行单元的输入或输出端子模式耦合,并且包括:基片、下包层、下肋形波导、纤芯、上肋形波导和上包层。纤芯用单一介质制成。由下肋形波导限定的阶梯式图案仅局部地存在于耦合和转换区域,因此简化了上肋形波导图案的形状。相应地简化了模式形状转换器的制造。
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公开(公告)号：CN1218189A
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：CN98124415.7
申请日：1998-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/10
CPC classification number: C03C17/02 , C03C17/3411 , C03C2218/33 , G02B6/136 , G02B2006/1215
Abstract: 一种在一个腔室里制作平面光波导的方法,包括的步骤是:在基片上沉积一包覆层和一核心层,在核心层上沉积一腐蚀掩膜层,并在腐蚀遮挡层上形成光刻胶图案,依照光刻胶图案,使用第一种气体,形成腐蚀掩膜图案,并除去第一种气体。根据腐蚀掩膜图案使用第二种气体,通过对核心层腐蚀形成光波导,使用第一种气体除去腐蚀掩膜图案然后在上述步骤的最终结构上沉积与核心层相同材料的顶层包覆层。
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公开(公告)号：CN114070958B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011610102.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 一种图像处理方法包括：基于输入图像的暗通道图来确定源传输图；通过将不同的滤波器应用于确定出的源传输图来确定变换后的传输图；通过分别基于确定出的变换后的传输图从输入图像中去雾来生成无雾图像；以及通过混合所生成的无雾图像来生成输出图像。
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公开(公告)号：CN118335758A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311741209.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , H04N23/55
Abstract: 提供一种图像传感器，包括：传感器衬底，包括多个像素；纳米光子透镜阵列，包括多个纳米结构，多个纳米结构被设置为对入射光进行颜色分离并且将颜色分离后的入射光会聚到多个像素上；以及滤色器层，包括多个滤色器，其中，透射第一波段的光的滤色器的总数大于透射第二波段的光的滤色器的数量和透射第三波段的光的滤色器的数量，并且纳米光子透镜阵列的多个纳米结构对第二波段的光和第三波段的光进行颜色分离并且会聚，并且对第一波段的光进行会聚而不进行颜色分离。
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公开(公告)号：CN117650150A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311088689.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , G01J3/50 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素；分色透镜阵列，改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位，并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱，第二像素对应区域包括多个第二纳米柱，并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱，第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠，并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。
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