公开(公告)号：CN102569398B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN102956694A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN102479804A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110389294.8

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  郑现钟 ,  梁喜准

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

Abstract: 本发明公开一种石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：栅电极；设置在栅电极上的栅氧化物；形成在栅氧化物上的石墨烯沟道层；以及分别设置在石墨烯沟道层的两端上的源电极和漏电极。在石墨烯沟道层中，多个纳米孔沿石墨烯沟道层的宽度方向布置成单一行。