公开(公告)号：CN116960163A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310453556.5

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。

公开(公告)号：CN116137782A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211434058.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  朴世勋 ,  金炫佑 ,  卞卿溵 ,  尹桐振 ,  李昌锡

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。

公开(公告)号：CN107769607B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201710537117.7

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.郑 ,  申铉振 ,  金在瑛 ,  卞卿溵

IPC: H02N1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开涉及摩擦电发电机。一种摩擦电发电机包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、分别提供在第一电极和第二电极上的第一起电层和第二起电层、以及被提供为将光照射到第二起电层上的光源。这里，第二起电层包括被配置为由于期望的波长的光而产生表面等离子体激元共振的金属材料，并且光源将被配置为产生表面等离子体激元共振的期望的波长的光照射到第二起电层上。

公开(公告)号：CN107359808B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201710303449.9

申请日：2017-05-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 白正民 ,  千珍晟 ,  芮秉旭 ,  金在瑛 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H02N1/04

Abstract: 本公开提供一种摩擦电发电机。该摩擦电发电机包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；第一带电物体，在第一电极的面对第二电极的表面上；第二带电物体，提供在第一带电物体和第二电极之间；以及接地单元，配置为由于第二带电物体的运动而间歇地使第二带电物体和电荷储存器互相连接。第一带电物体配置为由于接触而带正电荷。第二带电物体配置为由于接触而带负电荷。

公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN109837524A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN104659096A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410433124.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  卞卿溵 ,  宋俔在 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  柳寅敬 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。

公开(公告)号：CN104103671A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN119325262A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202410714579.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  薛珉洙 ,  俞敏硕 ,  朴宰贤 ,  卞卿溵

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  H10D84/83

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且所述一对垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。

公开(公告)号：CN115995485A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210942713.4

申请日：2022-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  卞卿溵 ,  李相受 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。