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公开(公告)号：CN111179992B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201911109066.3
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李耀翰
Abstract: 本公开提供了具有改进的电特性的竖直存储器装置及其操作方法。一种操作存储器装置的方法，其中该存储器装置包括：衬底；位于所述衬底上方的至少一个伪字线；位于所述伪字线上方的多个字线；以及多个竖直孔，所述多个竖直孔在垂直于所述衬底的方向上延伸穿过所述至少一个伪字线和所述多个字线，并且被分类为沟道孔和伪孔，所述沟道孔中的每一个连接到位线；所述方法包括：对形成为所述伪字线和所述伪孔的伪单元执行擦除操作；验证所述擦除操作；以及对所述多个伪单元中的至少一个伪单元执行编程操作，使得所述至少一个伪单元比形成为所述伪字线和所述沟道孔的主单元具有更高的阈值电压。
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公开(公告)号：CN116072189A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210980248.3
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置包括存储块和控制电路。所述存储块包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括在垂直方向上串联连接并设置在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管。所述控制电路在对目标存储单元的编程操作期间基于编程循环序数与参考序数的比较来调整施加到选定字线的通道晶体管的栅极的高电压的电平，使得所述高电压与施加到所述通道晶体管的漏极的编程电压之间的电压差在所述多个编程循环的至少一部分编程循环中不同。
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公开(公告)号：CN116052745A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210917162.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括均包括存储单元和连接到串选择线的串选择晶体管的单元串；页缓冲电路，页缓冲电路包括均包括被配置为存储强制信息的强制锁存器的页缓冲器；以及控制逻辑电路，被配置为在对选定字线进行编程操作期间，将以下电压中的至少两个电压控制为彼此不同：在位线强制操作之前的第一间隔内施加到所述串选择线的第一电压、在执行所述位线强制操作的第二间隔内施加到所述串选择线的第二电压、以及在执行所述位线强制操作之后的第三间隔内施加到所述串选择线的第三电压，所述位线强制操作用于向所述选定单元串传送所述强制信息。
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公开(公告)号：CN114255808A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111038556.6
申请日：2021-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括存储块和外围电路，每个所述存储块包括存储单元，所述外围电路控制所述存储块并对每个所述存储块执行擦除操作。每个存储块包括：堆叠在衬底上的字线，垂直于所述衬底的上表面延伸并且穿透所述字线的沟道结构，以及设置在所述衬底上并且连接到所述沟道结构的源极区。在向目标存储块的所述源极区输入擦除电压的擦除操作期间，所述外围电路在第一时间点使第一字线的电压从第一偏压减小到第二偏压，以及在不同于所述第一时间点的第二时间点使不同于所述第一字线的第二字线的电压从第三偏压减小到第四偏压。
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公开(公告)号：CN111179992A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911109066.3
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李耀翰
Abstract: 本公开提供了具有改进的电特性的竖直存储器装置及其操作方法。一种操作存储器装置的方法，其中该存储器装置包括：衬底；位于所述衬底上方的至少一个伪字线；位于所述伪字线上方的多个字线；以及多个竖直孔，所述多个竖直孔在垂直于所述衬底的方向上延伸穿过所述至少一个伪字线和所述多个字线，并且被分类为沟道孔和伪孔，所述沟道孔中的每一个连接到位线；所述方法包括：对形成为所述伪字线和所述伪孔的伪单元执行擦除操作；验证所述擦除操作；以及对所述多个伪单元中的至少一个伪单元执行编程操作，使得所述至少一个伪单元比形成为所述伪字线和所述沟道孔的主单元具有更高的阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553292A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410005602.X
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置和控制非易失性存储装置的方法。该控制非易失性存储装置的方法包括：基于写入地址确定与写入地址相对应的非易失性存储装置的选定存储单元是否被包括在过擦除群组中；基于选定存储单元被包括在过擦除群组中，执行预编程操作以增大选定存储单元的过擦除状态的阈值电压；以及在预编程操作完成之后，执行数据编程操作以将写入数据存储在选定存储单元中。
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公开(公告)号：CN118538254A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410185758.0
申请日：2024-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C13/00 , G11C16/08 , G11C16/14 , G11C16/30 , G11C16/24
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储块；电压发生器，被配置为生成擦除电压和行线电压，以提供给多个存储块中要对其执行擦除操作的目标块；以及控制逻辑电路，被配置为控制存储单元阵列和电压发生器，其中，在擦除操作期间，在预充电电压被施加到与目标块连接的多条串选择线之后，控制逻辑电路还被配置为向连接到多条串选择线的多条位线提供擦除电压，其中，多条串选择线包括第一串选择线和第二串选择线，其中，第一串选择线与连接到目标块的多条字线的端部之间的第一距离小于第二串选择线与多条字线的端部之间的第二距离，并且其中，连接到第一串选择线的第一晶体管的第一阈值电压高于连接到第二串选择线的第二晶体管的第二阈值电压。
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公开(公告)号：CN118298879A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410005838.3
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/08
Abstract: 提供了一种操作存储器装置的方法和存储器装置，所述方法包括：在字线设置时段中将通过电压施加至多条字线；在字线设置时段中在第一时间点将导通电压施加至未选择的地选择线；在字线设置时段中在第二时间点通过将预充电电压施加至公共源极线来增大所述多条字线的电压；在字线设置时段中在第三时间点将截止电压施加至未选择的地选择线；以及在字线设置时段中在第四时间点将地电压施加至公共源极线。
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公开(公告)号：CN116110478A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397065.5
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了一种闪存设备。该闪存设备包括：第一存储器单元；第一存储器单元上的第二存储器单元；和第一存储器单元和第二存储器单元之间的第三存储器单元。第一存储器单元、第二存储器单元和第三存储器单元共享通道。第三存储器单元被配置为基于在第一至第k编程循环中提供的通道分离电压来阻挡第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。第三存储器单元被配置为基于在第(k+1)编程循环中提供给第三存储器单元的通道连接电压来连接第一存储器单元和第二存储器单元之间的通道共享。
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