公开(公告)号：CN101169599A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710170189.9

申请日：2007-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李炳珍 ,  任太彬

IPC: G03F7/42

CPC classification number: H01L21/6708 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明涉及利用处理液除去基板的光刻胶并用臭氧处理处理液。当处理液被喷射到基板上时，倾斜基板以从基板上除去光刻胶。因此使用处理液均匀地处理基板以及收集处理液变得很方便。收集的处理液通过臭氧进行处理然后再使用。

公开(公告)号：CN1976044A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610140028.0

申请日：2006-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周汉 ,  林淳权 ,  朴弘植 ,  金時烈 ,  李殷国 ,  裴良浩 ,  李炳珍 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  康盛旭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。

公开(公告)号：CN101256366B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：CN101750916A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253786.7

申请日：2009-12-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  崔永柱 ,  李炳珍 ,  徐南锡 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/82

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：CN101256366A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％－约98.5重量％的γ－丁内酯、约1重量％－约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％－约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％－约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN101051190A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710089842.9

申请日：2007-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李炳珍

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂PR剥离装置，其可以再循环光致抗蚀剂剥离剂且在过滤器操作期间实现连续的过滤动作。该PR剥离装置包括：PR剥离槽，用于接收具有PR图案的基板且用于该PR图案的剥离；PR剥离剂回收管，用于接收来自PR剥离槽的PR剥离剂；两个或更多过滤器单元，用于过滤通过PR剥离剂回收管返回的PR剥离剂；以及PR剥离剂供给管，用于向PR剥离槽供给过滤的PR剥离剂。所述两个或更多过滤器单元彼此并联连接在PR剥离剂回收管和PR剥离剂供给管之间。