半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法

    公开(公告)号:CN116564989A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310060133.7

    申请日:2023-01-17

    Abstract: 提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:第一导电类型半导体层,其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆;多个有源层,其分别形成在多个杆的上表面上;多个第二导电类型半导体层,其分别形成在多个有源层的上表面上;绝缘间隔件,其共形地形成在多个杆之间,围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁,并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分;第一电极层,其与第一导电类型半导体层的下部接触;以及第二电极层,其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。

    用于降低噪声的图像传感器
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117998222A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311182884.2

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 提供用于降低噪声的图像传感器。所述图像传感器包括:像素阵列,连接到多条列线;第一斜坡信号生成器,生成第一斜坡信号;第二斜坡信号生成器,生成第二斜坡信号;以及模数转换(ADC)电路。ADC电路包括:第一比较器组,将第一斜坡信号与从所述多条列线之中的第一列线组接收的第一像素信号进行比较;以及第二比较器组,将第二斜坡信号与从所述多条列线之中的第二列线组接收的第二像素信号进行比较。对第一斜坡信号进行比较的处理发生在与发生对第二斜坡信号进行比较的处理的比较时间点不同的比较时间点。

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