公开(公告)号：CN103094334A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210215829.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  鲜于文旭 ,  文彰烈 ,  朴用永 ,  梁佑荣 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

公开(公告)号：CN1873996A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087668.X

申请日：2006-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  朴用永 ,  朴泰相 ,  姜闰浩

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。