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公开(公告)号：CN1771543A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200380110293.9
申请日：2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/13
CPC classification number: G11B7/131 , G11B7/0903 , G11B7/0906 , G11B7/0909 , G11B7/0943 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明公开了一种用于双波长激光二极管的光电二极管。根据本发明，提供了一种12划分光电二极管以用于分别检测DVD激光束和CD激光束，结果，使双波长激光二极管很好地适应于光学拾取器中。
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公开(公告)号：CN112397645B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010284475.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
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公开(公告)号：CN112701219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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公开(公告)号：CN112397440A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010805333.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
Abstract: 提供用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法，其包括在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构。第一图案结构包括堆叠图案和覆盖堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层。包括SiOCH材料的第一能流动材料层形成在第一间隔体层上以填充第一开口并覆盖第一图案结构的上部部分。对第一能流动材料层进行包括将气态氨催化剂供应到第一能流动材料层中的第一固化工艺以形成包括水的第一固化材料层。对第一固化材料层进行第二固化工艺以形成第一低k介电材料层。将第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k介电材料层。
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公开(公告)号：CN110858623A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858619A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
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公开(公告)号：CN110858619B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910534229.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
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公开(公告)号：CN110858623B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201910782346.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
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公开(公告)号：CN115411060A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210591807.1
申请日：2022-05-27
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种光吸收结构及具有其的光感测器件，该光感测器件包括：半导体层，包括分布式布拉格反射器和光电转换单元，分布式布拉格反射器包括半导体层的第一表面，光电转换单元包括半导体层的第二表面，并且分布式布拉格反射器具有多个孔，在剖视图中，所述多个孔中的每个具有根据宽度变化周期从第一宽度逐渐变化到第二宽度然后从第二宽度逐渐变化到第一宽度的宽度；在半导体层的一个区域中的第一电极；以及第二电极，在半导体层的第二表面上并具有反射金属。
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公开(公告)号：CN112701219A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202010645856.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：多条第一导线，设置在基底上；多条第二导线，与所述多条第一导线交叉；以及多个单元结构，介于所述多条第一导线与所述多条第二导线之间。所述多个单元结构之中的至少一个单元结构包括：第一电极；开关元件，设置在第一电极上；第二电极，设置在开关元件上；第一金属图案，设置在第二电极上；可变电阻图案，介于第一金属图案与所述多条第二导线之中的至少一条第二导线之间；以及第一间隔件，设置在可变电阻图案的侧壁、第一金属图案的侧壁和第二电极的侧壁上。
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