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公开(公告)号：CN105320453A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463511.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488 , G06F3/14
Abstract: 提供一种显示装置和控制显示装置的方法。显示装置包括被配置为显示包括不同功能根据顶点被映射到其上的多边形对象的屏幕的显示单元，被配置为检测触摸操作的检测单元，以及控制器，其被配置为响应于通过检测单元检测到通过触摸多边形对象的多个顶点中的一个来旋转多边形对象的操作，而执行被映射到所触摸顶点上的功能。
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公开(公告)号：CN102711612B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180005598.8
申请日：2011-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G06T7/0016 , A61B6/481 , A61B6/482 , A61B6/486 , A61B6/5205 , G06T7/254 , G06T2207/10116 , G06T2207/30004 , G06T2207/30101
Abstract: 提供了一种处理多能X射线图像的方法和系统。通过所述方法和系统，可使用X射线检测器获取多个目标图像，并且可对获取的目标图像执行信号处理，从而检测并读取良性/恶性病变或肿块，其中，所述X射线检测器使得能够针对应用了造影剂的目标以预定时间间隔执行能量区分。
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公开(公告)号：CN104644196A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410641398.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
Abstract: 本发明公开了X射线成像设备及控制该设备的方法。提供一种能够通过使用ROI滤波器以让剂量比感兴趣区域(ROI)的剂量低的X射线入射在非ROI上，来实现低剂量X射线成像并最小化X射线图像的视野(FOV)丢失的X射线成像设备及控制该设备的方法。此外，提供一种可通过使ROI滤波器的移动与ROI的移动同步而被应用于X射线视频领域的X射线成像设备及控制该设备的方法。根据一方面的X射线成像设备包括：X射线源，被构造为将X射线辐射到受试体区域上；X射线检测器，被构造为检测辐射的X射线并获得受试体区域的多个帧图像；滤波器，设置在X射线源和X射线检测器之间，被设置为能够朝X射线源和X射线检测器移动，并被构造为对从X射线源辐射的X射线进行过滤。
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公开(公告)号：CN101996681B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201010260571.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN102789560A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210154029.6
申请日：2012-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东求
IPC: G06F21/00
CPC classification number: G06F12/1408 , G06F21/71 , G06F21/74 , G06F2212/1052 , G06F2212/402 , G06F2221/2105 , G06F2221/2111
Abstract: 在一个实施例中，数据存储装置包括控制单元，其被配置成译码至少一个输入命令，并且被配置成响应于该输入命令生成读信号和开始信号中的至少一个。该开始信号指示开始内部模式确定过程。该数据存储装置还包括：存储单元，其被配置成响应于读信号输出数据；以及编码单元，其被配置成响应于开始信号开始并执行内部模式确定过程。内部模式确定过程包括自主地确定编码模式，并且该编码单元被配置成基于所确定的编码模式对输出数据进行编码以产生已编码数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996681A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260571.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN101430933A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810177840.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明的快闪存储器件被配置用来对每单位单元中多个比特编程，其中依据被选中进行编程的比特的最在前的比特的编程是否被跳过来设置被选中比特的编程条件。结果，即使在中间比特的编程被跳过时，也可以准确地进行编程和读取操作。
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公开(公告)号：CN101345086A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810127404.1
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN101089994A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710109018.5
申请日：2007-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东求
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C2211/5646
Abstract: 提供了一种非易失性存储器器件及其方法。该示例的非易失性存储器器件可以包括：多个主单元，该多个主单元中的每个被排列在多个字线之一和多个主位线对之一之间的第一相交区域；以及多个标志单元，该多个标志单元的每个被排列在多个标志位线对和多个字线中的一个之间的第二相交区域，该多个标志单元的每个被配置来以这样一种方式存储页信息，使得与对应于主位线对之一的主单元相关联的页信息，被存储在与多于一个所述标志位线对相对应的各标志单元中。
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公开(公告)号：CN108009100B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711056941.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C8/06
Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括第一平面至第四平面；页缓冲电路，包括分别与第一平面至第四平面连接的第一页缓冲单元至第四页缓冲单元；输入/输出电路，包括与第一页缓冲单元至第四页缓冲单元连接的第一输入/输出单元和与第二页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第二输入/输出单元；以及控制逻辑，控制输入/输出电路在第一读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元至第四页缓冲单元中的一个输出第一数据，并且在第二读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元和第三页缓冲单元中的一个输出第二数据，通过第二输入/输出单元从第二页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个输出第三数据。
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