公开(公告)号：CN108009100A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711056941.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜勍旻 ,  姜东求 ,  金光源 ,  金贤真

IPC: G06F12/0866 ,  G11C7/10 ,  G11C8/06

CPC classification number: G11C29/789 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1072 ,  G11C5/025 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1009 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  G11C16/344 ,  G11C2211/5642 ,  G06F12/0866 ,  G11C7/1057 ,  G11C8/06

Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括第一平面至第四平面；页缓冲电路，包括分别与第一平面至第四平面连接的第一页缓冲单元至第四页缓冲单元；输入/输出电路，包括与第一页缓冲单元至第四页缓冲单元连接的第一输入/输出单元和与第二页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第二输入/输出单元；以及控制逻辑，控制输入/输出电路在第一读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元至第四页缓冲单元中的一个输出第一数据，并且在第二读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元和第三页缓冲单元中的一个输出第二数据，通过第二输入/输出单元从第二页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个输出第三数据。

公开(公告)号：CN108009100B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201711056941.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜勍旻 ,  姜东求 ,  金光源 ,  金贤真

IPC: G06F12/0866 ,  G11C7/10 ,  G11C8/06

Abstract: 非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括第一平面至第四平面；页缓冲电路，包括分别与第一平面至第四平面连接的第一页缓冲单元至第四页缓冲单元；输入/输出电路，包括与第一页缓冲单元至第四页缓冲单元连接的第一输入/输出单元和与第二页缓冲单元和第四页缓冲单元连接的第二输入/输出单元；以及控制逻辑，控制输入/输出电路在第一读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元至第四页缓冲单元中的一个输出第一数据，并且在第二读取模式下通过第一输入/输出单元从第一页缓冲单元和第三页缓冲单元中的一个输出第二数据，通过第二输入/输出单元从第二页缓冲单元和第四页缓冲单元中的一个输出第三数据。