公开(公告)号：CN115377093A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210544374.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  李奎沃 ,  高在赫 ,  权义熙 ,  金晙赫 ,  全镕宇 ,  郑多源

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。

公开(公告)号：CN103715672B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201310454234.9

申请日：2013-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金佑锡 ,  金汉求 ,  赵相容

IPC: H02H9/00 ,  H01L27/02

Abstract: 箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括：第一高压晶体管，具有栅极和第一电极，其中，第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间；箝位电路，连接到第一高压晶体管的栅极，其中，箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化，并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。

公开(公告)号：CN103972303A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410033871.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫 ,  金汉求 ,  高民昌 ,  金昌洙 ,  全暻基

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L27/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种二极管、ESD保护电路、制造二极管的方法以及同时制造二极管和PLDMOS晶体管的方法。所述方法如下。在N型外延层的第一上部中形成N型阱区域。在N型外延层的第二上部中形成P型漂移区域。在N型阱区域中形成N型掺杂区域。在P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在P型漂移区域中形成隔离结构。隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间。在N型外延层的一部分上形成第一电极。N型外延层的所述一部分设置在N型阱区域和P型漂移区域之间。第一电极与隔离结构的一部分叠置。形成连接结构以电结合N型掺杂区域和第一电极。

公开(公告)号：CN103869337A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310677052.8

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高在赫

IPC: G01S19/24 ,  G01S19/23

CPC classification number: G01S19/30 ,  G01S19/22

Abstract: 提供了一种跟踪全球导航卫星系统信号的方法和设备及其接收机。该方法包括：产生包括E码、P码、L码、第一码和第二码的各个复制码；计算接收的卫星信号和复制码的相关值；鉴别从分别与复制码相应的相关点导出的多个斜率的梯度；并且根据鉴别结果检测由于多径信号分量而导致的时间延迟。

公开(公告)号：CN101093984B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710128246.7

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任敬植 ,  金汉求 ,  高在赫 ,  孙日宪 ,  金锡震

IPC: H03K5/08

CPC classification number: H05K9/0067

Abstract: 提供一种箝位电路，其可以通过使用已包括在电路中的晶体管而将电路节点处的电压箝位到稳定电平。当发生静电放电(ESD)时，箝位电路可以将半导体芯片内部的电路的第一节点处的电压箝位到更稳定的电平。箝位电路可包括晶体管和电容性元件以存储用来响应于ESD而导通晶体管的控制电压。

公开(公告)号：CN101093984A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710128246.7

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任敬植 ,  金汉求 ,  高在赫 ,  孙日宪 ,  金锡震

IPC: H03K5/08

CPC classification number: H05K9/0067

Abstract: 提供一种箝位电路，其可以通过使用已包括在电路中的晶体管而将电路节点处的电压箝位到稳定电平。当发生静电放电(ESD)时，箝位电路可以将半导体芯片内部的电路的第一节点处的电压箝位到更稳定的电平。箝位电路可包括晶体管和电容性元件以存储用来响应于ESD而导通晶体管的控制电压。