公开(公告)号：CN101614381A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910149964.1

申请日：2009-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金维植 ,  韩宇声

IPC: F21V23/00 ,  F21V23/06 ,  F21V19/00 ,  H05B37/00 ,  H01L33/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H05K1/0295 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/16225 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09254 ,  H05K2201/09318 ,  H05K2201/0949 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/09954 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/173

Abstract: 本发明提供一种副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法。该副底座适于安装在其上的器件的AC和DC运行，其包括：基础基板，包括第一表面和第二表面，第一表面与第二表面不同；在第一表面上的导电图案；在第二表面上的第一对第一和第二电极和第二对第一和第二电极；以及延伸穿过第一表面与第二表面之间的基础基板的多个通路，其中导电图案包括沿第一对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第一电路路径的第一组安装部和两个通路部，以及沿第二对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第二电路路径的第二组安装部和两个通路部，并且通路部通过通路将导电图案的相应部分连接到第一对第一和第二电极及第二对第一和第二电极中的相应电极。

公开(公告)号：CN1146071A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96103946.9

申请日：1996-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重泫 ,  文诚庸 ,  韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/28 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433

Abstract: 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。

公开(公告)号：CN1121189A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95101151.0

申请日：1995-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  G03F7/2061

Abstract: 一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形，和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内形成一光透射控制薄膜图形抑制了邻近效应，结果可将掩膜图形精确地转移到衬底上去。因此，增加了电容器的表面面积从而提高了所制造的半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN1089370A

公开(公告)日：1994-07-13

申请号：CN93120819.X

申请日：1993-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤 ,  韩宇声

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/703 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2022

Abstract: 一种形成图形的方法改善了光刻胶图形的轮廓。本方法包括下列各步骤：在有台阶的衬底上形成光刻胶层、用第一掩模将光刻胶层作第一次曝光，用第二掩模将由于台阶使光刻胶层很厚的部位作第二次曝光，以及将曝过光的光刻胶层显影。尤其是，在台阶处的厚光刻胶要进行充足的曝光，从而避免形成桥接或残胶，而获得改善了轮廓的图形。