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公开(公告)号：CN110957282A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910466682.8
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。
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公开(公告)号：CN110580924A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910486358.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 补偿电路可以包括参考电流生成电路，该参考电流生成电路包括被配置为传送第一电流的第一宽度的第一晶体管。参考生成电路可以基于第一电流输出参考电流。补偿电路可以包括补偿电流生成电路，该补偿电流生成电路包括被配置为传送第二电流的第二宽度的第二晶体管。第二晶体管可以基于代码从第一组晶体管当中选择。第一组晶体管可以具有与第一宽度成比例的宽度。补偿电流生成电路可以基于第二电流输出具有与参考电流的幅度成比例地选择的幅度的补偿电流。补偿电路可以包括电流镜电路，该电流镜电路被配置为输出其幅度基于第二电流的幅度和第二宽度的补偿电压。
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公开(公告)号：CN110580924B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201910486358.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 补偿电路可以包括参考电流生成电路，该参考电流生成电路包括被配置为传送第一电流的第一宽度的第一晶体管。参考生成电路可以基于第一电流输出参考电流。补偿电路可以包括补偿电流生成电路，该补偿电流生成电路包括被配置为传送第二电流的第二宽度的第二晶体管。第二晶体管可以基于代码从第一组晶体管当中选择。第一组晶体管可以具有与第一宽度成比例的宽度。补偿电流生成电路可以基于第二电流输出具有与参考电流的幅度成比例地选择的幅度的补偿电流。补偿电路可以包括电流镜电路，该电流镜电路被配置为输出其幅度基于第二电流的幅度和第二宽度的补偿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162674B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201911087312.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电荷泵包括：充电单元，包括连接在被配置为接收输入电压的输入端子和第一节点之间的第一n型晶体管、连接在输入端子和第二节点之间的第二n型晶体管、被配置为基于第一时钟信号控制第一n型晶体管的第一栅极控制元件和被配置为基于具有与第一时钟信号相反相位的第二时钟信号控制第二n型晶体管的第二栅极控制元件；第一泵浦电容器，包括连接到第一节点的一端和被配置为接收第一时钟信号的另一端；第二泵浦电容器，包括连接到第二节点的一端和被配置为接收第二时钟信号的另一端；和输出单元。
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公开(公告)号：CN111081290A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910806442.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的动态电力控制系统和存储器装置。一种用于存储器装置的动态电力控制系统包括：外部电力输入端，从所述存储器装置的外部的电力管理电路接收第一输出电流；可变电荷泵，接收第二输入电压和第二输入电流，将所述第二输入电压升高到第二输出电压，并且将所述第二输出电压和第二输出电流输出到所述存储器装置；以及反馈控制器，用于将所述第一输出电流和所述第一输入电流的比与所述第二输出电流和所述第二输入电流的比进行比较，并且根据比较结果，选择所述电力管理电路和所述可变电荷泵中的一个以向所述存储器装置供应电力。
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公开(公告)号：CN101231876B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810004578.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/147 , G11C7/20 , G11C11/4072 , G11C11/4074
Abstract: 在半导体存储器器件的电压生成电路中，多个复位信号生成器中的每一个响应于多个外部源电压中的一个来独立地生成复位信号。多个外部源电压具有不同的电压电平。输出电压生成器响应于多个复位信号中相应的一个、通过独立地驱动多个外部源电压中的每一个来生成多个输出电压。输出电压生成器通过公共输出端输出多个输出电压。
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公开(公告)号：CN101231876A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810004578.9
申请日：2008-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/147 , G11C7/20 , G11C11/4072 , G11C11/4074
Abstract: 在半导体存储器器件的电压生成电路中，多个复位信号生成器中的每一个响应于多个外部源电压中的一个来独立地生成复位信号。多个外部源电压具有不同的电压电平。输出电压生成器响应于多个复位信号中相应的一个、通过独立地驱动多个外部源电压中的每一个来生成多个输出电压。输出电压生成器通过公共输出端输出多个输出电压。
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