公开(公告)号：CN110957282B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN201910466682.8

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗荣浩 ,  闵泳善 ,  边大锡

IPC: H01L23/31 ,  G11C29/02 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。

公开(公告)号：CN110957282A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910466682.8

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗荣浩 ,  闵泳善 ,  边大锡

IPC: H01L23/31 ,  G11C29/02 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装包括第一存储器芯片至第三存储器芯片。第一存储器芯片布置在封装衬底上，第二存储器芯片布置在第一存储器芯片上，并且第三存储器芯片布置在第一存储器芯片与第二存储器芯片之间。第一存储器芯片至第三存储器芯片中的每一个包括存储数据的存储器单元阵列、应力检测器、应力指数发生器和控制电路。应力检测器形成并分布在衬底中，并响应于外部电压检测堆叠应力以输出多个感测电流。应力指数发生器将多个感测电流转换为应力指数代码。控制电路基于应力指数代码的至少一部分来调整与对应存储器芯片的工作电压相关联的特征参数的值。