公开(公告)号：CN1941310B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610139968.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐永 ,  洪昌基 ,  尹普彦 ,  朴俊相

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。

公开(公告)号：CN1941310A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139968.8

申请日：2006-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐永 ,  洪昌基 ,  尹普彦 ,  朴俊相

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种制作自对准接触焊盘的方法，包括：在半导体衬底上形成导电线和覆盖层的叠层，并形成覆盖叠层的侧壁的间隔层和填充叠层之间的间隙并暴露覆盖层的顶部的绝缘层；刻蚀覆盖层以形成波纹状凹槽；以与覆盖层的材料不同的材料形成多个第一刻蚀掩模以填充波纹状凹槽，而不覆盖绝缘层顶部；以及形成具有开口区的第二刻蚀掩模，所述开口区暴露出第一刻蚀掩模的一些以及绝缘层中位于第一刻蚀掩模之间的那部分。所述方法还包括：使用第一和第二掩模刻蚀由开口区所暴露的绝缘层部分以形成多个开口孔；除去第二刻蚀掩模；形成填充开口孔的导电层以覆盖残留的第一刻蚀掩模；以及将覆盖层用作为抛光终点在导电层上执行化学机械抛光工艺以除去第一刻蚀掩模，从而形成多个彼此分离的、填充开口孔的SAC焊盘。