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公开(公告)号：CN107885676B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201710913938.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·T·马拉丁 , 金钟民 , 郑宏忠
IPC: G06F13/16 , G06F12/0882
Abstract: 提供一种计算系统和用于操作计算系统的方法。一种伪主存储器系统，包括用于使用压缩、重复删除和/或纠错来执行存储器增强的存储器适配器电路。存储器适配器电路连接到存储器，并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线并实现用于连接存储器总线的NVDIMM‑F接口或修改的NVDIMM‑F接口。
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公开(公告)号：CN109885252A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811093070.0
申请日：2018-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种控制器和一种存储器装置。所述存储器装置可以包括：多个存储器芯片，通过它们对应的芯片号彼此区分开；以及监控电路，包括电连接到所述多个存储器芯片的多个第一连接端子，并且被配置为经由所述多个第一连接端子从所述多个存储器芯片接收与所述多个存储器芯片中的每个的就绪状态和繁忙状态有关的状态信息。监控电路可以输出多个包，每个包包括与所述多个存储器芯片中的至少一个对应的芯片号和状态信息。
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公开(公告)号：CN108733579A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810301608.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0868
Abstract: 本申请提供了一种用于提供固态盘中的后台操作的机会窗口提示的方法和一种固态盘。该方法包括以下步骤：从主机接收多个主机命令，以访问固态盘(SSD)的存储介质；监视用于执行所述多个主机命令的原速率；通过获取原速率在时间单元内的均值来计算平均速率；将平均速率与阈进行比较；检测出平均速率降至阈以下，这指示机会窗口打开；提供机会窗口的提示；以及确定是否在机会窗口期间执行将要进行或即将进行的后台操作。
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公开(公告)号：CN116257178A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211573107.6
申请日：2022-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种操作包括存储器控制器和存储器装置的存储器系统的方法和一种存储器系统。该存储器系统包括存储器控制器和存储器装置，该存储器装置包括多个裸芯，每个裸芯包括多个块。多个命令被配置为以超级块为单位控制存储器装置。在第一时间间隔期间，基于第一命令，对第一‑第一块至第一‑第M块当中的第一‑第一块执行第一擦除操作，并且对第二‑第一块至第二‑第M块执行第一编程操作。在第二时间间隔期间，基于第二命令，对第一‑第一块至第一‑第M块当中的第一‑第二块执行第二擦除操作，并且对第一‑第一块以及第二‑第一块至第二‑第M块当中的一个或多个块执行第二编程操作。
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公开(公告)号：CN110941600A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910770236.6
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F16/21
Abstract: 一种包括数据库卸载引擎的数据库处理系统。在一些实施例中，所述数据库卸载引擎包括：矢量化加法器，包括多个读取-修改-写入电路；多个总和缓冲器，分别连接到所述读取-修改-写入电路；密钥地址表；以及控制电路。所述控制电路可被配置为：接收第一密钥以及对应的第一值；搜索所述密钥地址表寻找所述第一密钥；以及响应于在所述密钥地址表中找到对应于所述第一密钥的地址，将所述地址及所述第一值路由到所述多个读取-修改-写入电路中与所述地址对应的读取-修改-写入电路。也提供一种用于卸载数据库操作的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109936913A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811471501.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种印刷电路板(PCB)、一种存储器模块和一种包括存储器模块的存储器系统。该PCB包括：第一绝缘层；垫，设置在第一绝缘层上；以及第一参考层，其上设置有第一绝缘层，第一参考层包括用于形成传输到垫的信号的返回路径的介电通道，导线设置在介电通道中并且设置为形成信号的传输路径。该PCB还包括：第二绝缘层，其上设置有第一参考层；以及第二参考层，其上设置有第二绝缘层，第二参考层进一步形成所述返回路径。垫的电容对应于垫与第二参考层之间的距离。
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公开(公告)号：CN107885676A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710913938.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 克里希纳·T·马拉丁 , 金钟民 , 郑宏忠
IPC: G06F13/16 , G06F12/0882
CPC classification number: G06F13/1657 , G06F12/0882
Abstract: 提供一种计算系统和用于操作计算系统的方法。一种伪主存储器系统，包括用于使用压缩、重复删除和/或纠错来执行存储器增强的存储器适配器电路。存储器适配器电路连接到存储器，并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线并实现用于连接存储器总线的NVDIMM-F接口或修改的NVDIMM-F接口。
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公开(公告)号：CN107766097A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710701593.8
申请日：2017-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/4401 , G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F13/4022 , G06F9/4406 , G06F9/4411
Abstract: 本发明提供了一种电子装置。所述电子装置包括第一存储器、第二存储器和控制器。第一存储器存储启动指令的数据，并且第二存储器存储与执行与外部装置的通信的条件关联的设置信息。在第二存储器基于来自外部装置的命令存储设置信息之前，控制器将具有自设定值的设置信息存储在第二存储器中。控制器在由自设定值限定的条件下响应于从外部装置接收的存储器读请求将启动指令的数据提供至外部装置。
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公开(公告)号：CN118779137A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410415082.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种使用主机存储器缓冲器的存储装置和操作其的方法。一种使用主机的主机存储器缓冲器操作存储装置的方法包括：当对主机存储器缓冲器的多个读取请求被需要时，将关于主机存储器缓冲器上的HMB地址的信息记录在地址信息表中，所述HMB地址分别与所述多个读取请求对应；无论主机存储器缓冲器的响应如何，都将所述多个读取请求发送到主机存储器缓冲器；从主机存储器缓冲器接收分别与所述多个读取请求对应的多个读取数据；检测所述多个读取数据中的每个读取数据的错误；以及基于错误检测的结果来更新地址信息表。
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