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公开(公告)号：CN119560456A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410886556.9
申请日：2024-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种固态驱动设备包括：壳体，该壳体包括限定壳体的内部空间的顶部盖和底部盖；以及容纳在壳体的内部空间中的多个封装基板模块。封装基板模块包括具有顶部封装基底基板的顶部封装基板模块和具有底部封装基底基板的底部封装基板模块。顶部封装基板模块和底部封装基板模块在垂直方向上彼此分离。顶部封装基底基板包括多个顶部突起和多个顶部凹口，底部封装基底基板包括多个底部突起和多个底部凹口。
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公开(公告)号：CN119065853A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411287884.3
申请日：2024-09-13
Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: G06F9/50 , G06F16/2455
Abstract: 本公开提供一种用于管理数据库的计算管理方法、装置、存储介质和系统，上述方法包括：基于确定待执行计算包括预设的访存密集型计算，通过计算代理向近存计算设备发送计算请求，其中，在所述访存密集型计算中在处理器和内存之间的数据传输频率大于第一预设阈值，所述计算代理被选择用于执行所述访存密集型计算；并且通过所述计算代理接收关于通过所述近存计算设备基于所述计算请求而生成的计算结果的通知。
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公开(公告)号：CN100394309C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510063838.6
申请日：2005-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0651 , C07D471/06 , G03G5/0525 , G03G5/056 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0618 , G03G5/0668 , G03G5/0696 , G03G5/076
Abstract: 一种含有式(1)的萘四羧酸二酰亚胺衍生物的电子照相感光体，该萘四羧酸二酰亚胺衍生物在相对于酰亚胺基氮原子的α-位有被芳基取代的支链烷基。其中R1和R2独立地选自氢原子、卤素原子、C1-C20的取代或未取代的烷基和C1-C20的取代或未取代的烷氧基；R3选自C1-C20的取代或未取代的烷基、C1-C20的取代或未取代的烷氧基、C7-C30的取代或未取代的芳烷基和具有式-(CH2)n-Y-R4的基团；Ar是C6-C30的取代或未取代的芳基；Y是氧或硫原子；R4是氢原子或C1-C20的取代或未取代的烷基；和n是1和12之间的整数。该萘四羧酸二酰亚胺衍生物在有机溶剂中有高溶解度以及与粘合剂树脂的高相容性，因此具有更好的电子传输能力。本发明还涉及一种使用该感光体的电子照相成像设备。
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公开(公告)号：CN101105642A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710005876.5
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0525 , G03G5/047 , G03G5/0517 , G03G5/0521 , G03G5/0564 , G03G5/0696
Abstract: 本发明提供了有机感光体和包括该有机感光体的电子照相成像装置，其中有机感光体具有常规的单层型感光体的优势并且具有更高光敏性和良好的重复稳定性。该感光体包括在导电基材上的感光层，其中感光层含有电子传输材料，其浓度沿着基材和感光层之间的界面方向增大。
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公开(公告)号：CN1971431A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610168932.2
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/0542 , G03G5/0564 , G03G5/0651
Abstract: 一种电子照相感光体，其包括：导电性基底；电荷生成层，其置于导电性基底之上，并包含分散或溶解在粘结剂树脂中的电荷生成材料和分散或溶解在粘结剂树脂中不对称的具有硝基的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。该感光体还具有电荷迁移层，其置于电荷生成层之上，并包含分散或溶解在粘结剂树脂中的电荷迁移材料。包括电子照相感光体的电子照相成像设备。所述双层型电子照相感光体具有良好的层间粘合力以及良好的电特性如良好的感光性和曝光后的低剩余电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885172A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610090863.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0614 , G03G5/0609 , G03G5/0612 , G03G5/0618 , G03G5/0668
Abstract: 提供了电子照相感光体，其在电荷产生层中包括电子传输材料。所述电子照相感光体包括导电基底、形成在所述导电基底上并包括电荷产生材料和电子传输材料的电荷产生层、和形成在所述电荷产生层上并包括电荷传输材料的电荷传输层，其中所述电子传输材料是式I代表的苯基偶氮亚甲基－环己二烯酮衍生物，其中R1和R2独立地选自取代或未取代的C1－C20烷基、取代或未取代的C1－C20烷氧基、取代或未取代的C6－C30芳基、取代或未取代的C7－C30芳烷基和卤素；A选自硝基、氰基和砜；1是1－4的整数；m是0或1－4的整数；且n是1－5的整数。所述电子照相感光体显示出高感光度和低曝光电压。
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公开(公告)号：CN1881092A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106107.X
申请日：2006-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G5/0696 , G03G5/047 , G03G5/0651
Abstract: 形成一种两层的电子照相感光体。该两层的电子照相感光体包括导电基底和在该导电基底上形成的电荷产生层和电荷迁移层，其中电荷产生层为由上图通式表示的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。该两层的电子照相感光体具有高感光灵敏度和低剩余电位。
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公开(公告)号：CN1495544A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03132788.5
申请日：2003-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03G5/06
CPC classification number: G03G5/0666 , G03G5/0614 , G03G5/0668 , G03G5/142
Abstract: 本发明涉及一种包括基底，底涂层和感光层的电子照相感光体，其中底涂层包含可溶解在有机溶剂中的电荷迁移物质和树脂粘合剂。
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公开(公告)号：CN119649871A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410513499.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/409
Abstract: 提供了一种存储系统和包括存储系统的数据中心。所述存储系统包括多个DRAM‑less存储装置、CXL存储器扩展器和PLP电容器。DRAM‑less存储装置包括非易失性存储器作为存储介质，并且DRAM在DRAM‑less存储装置中被省略。CXL存储器扩展器电连接到DRAM‑less存储装置，通过CXL接口进行通信，并且作为DRAM‑less存储装置的缓冲存储器进行操作。PLP电容器电连接到DRAM‑less存储装置和CXL存储器扩展器，被设置在DRAM‑less存储装置外部，并且在外部电源电压突然断开的SPO条件下将辅助电源电压供应给DRAM‑less存储装置和CXL存储器扩展器。
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公开(公告)号：CN110069357B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201811190300.5
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置包括非易失性存储器、第一缓冲存储器和第二缓冲存储器以及控制器。第一缓冲存储器和第二缓冲存储器中的每一个被构造为响应于写请求缓冲将被写入非易失性存储器的写数据，并且还响应于读请求缓冲从非易失性存储器接收到的读数据。提供了控制器，其基于与数据准确性有关的至少一个标准评价第一缓冲存储器。所述控制器被构造为：当评价揭示超过标准时，响应于写请求将写数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器，并且当评价揭示超过标准时，响应于读请求将读数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器。
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