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公开(公告)号：CN103800030B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310534853.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种医学成像设备和/或方法包括台架、控制单元和显示单元。台架具有用于产生X射线的源和用于检测穿过对象的X射线的检测器。台架允许源和检测器围绕对象旋转。控制单元获得台架的操作信息。显示单元输出所获得的台架的操作信息。
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公开(公告)号：CN103800030A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310534853.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种医学成像设备和/或方法包括台架、控制单元和显示单元。台架具有用于产生X射线的源和用于检测穿过对象的X射线的检测器。台架允许源和检测器围绕对象旋转。控制单元获得台架的操作信息。显示单元输出所获得的台架的操作信息。
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公开(公告)号：CN110069357B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201811190300.5
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置包括非易失性存储器、第一缓冲存储器和第二缓冲存储器以及控制器。第一缓冲存储器和第二缓冲存储器中的每一个被构造为响应于写请求缓冲将被写入非易失性存储器的写数据，并且还响应于读请求缓冲从非易失性存储器接收到的读数据。提供了控制器，其基于与数据准确性有关的至少一个标准评价第一缓冲存储器。所述控制器被构造为：当评价揭示超过标准时，响应于写请求将写数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器，并且当评价揭示超过标准时，响应于读请求将读数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器。
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公开(公告)号：CN110069357A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811190300.5
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路装置包括非易失性存储器、第一缓冲存储器和第二缓冲存储器以及控制器。第一缓冲存储器和第二缓冲存储器中的每一个被构造为响应于写请求缓冲将被写入非易失性存储器的写数据，并且还响应于读请求缓冲从非易失性存储器接收到的读数据。提供了控制器，其基于与数据准确性有关的至少一个标准评价第一缓冲存储器。所述控制器被构造为：当评价揭示超过标准时，响应于写请求将写数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器，并且当评价揭示超过标准时，响应于读请求将读数据中的至少一些从第一缓冲存储器重定向至第二缓冲存储器。
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