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公开(公告)号:CN119649871A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202410513499.X
申请日:2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/409
Abstract: 提供了一种存储系统和包括存储系统的数据中心。所述存储系统包括多个DRAM‑less存储装置、CXL存储器扩展器和PLP电容器。DRAM‑less存储装置包括非易失性存储器作为存储介质,并且DRAM在DRAM‑less存储装置中被省略。CXL存储器扩展器电连接到DRAM‑less存储装置,通过CXL接口进行通信,并且作为DRAM‑less存储装置的缓冲存储器进行操作。PLP电容器电连接到DRAM‑less存储装置和CXL存储器扩展器,被设置在DRAM‑less存储装置外部,并且在外部电源电压突然断开的SPO条件下将辅助电源电压供应给DRAM‑less存储装置和CXL存储器扩展器。
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公开(公告)号:CN114185821A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202110941208.3
申请日:2021-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/16
Abstract: 提供了存储系统、存储装置和操作存储装置的方法。所述存储装置可包括:存储介质;存储装置控制器,结合到存储介质;主机接口,结合到存储装置控制器;以及可附接模块接口,被配置为将可附接计算模块连接到存储装置控制器。可附接模块接口可包括数据接口、边带接口和/或电力接口。可附接模块接口可包括连接器,连接器被配置为:将可附接计算模块连接到存储装置控制器。所述存储装置可包括具有开口的外壳,开口被配置为:使可附接计算模块能够通过开口连接到可附接模块接口。存储装置控制器可被配置为:利用可附接计算模块的一个或多个资源。存储装置控制器可被配置为:通过存储协议的一个或多个命令扩展与可附接计算模块进行通信。
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