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公开(公告)号：CN114879901A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111615059.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在操作包括多个非易失性存储器的存储设备的方法中，存储设备的可靠性信息被预测。基于预测可靠性信息的结果对存储设备执行读取操作。在预测存储设备的可靠性信息中，通过基于劣化特性信息和劣化阶段信息选择多个机器学习模型中的一者作为最佳机器学习模型来输出模型请求信号。模型请求信号对应于最佳机器学习模型。多个机器学习模型用于生成与多个非易失性存储器相关的可靠性信息。基于模型请求信号来接收最佳机器学习模型的参数。基于劣化特性信息和参数来生成可靠性信息。
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公开(公告)号：CN118151840A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311484276.7
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储装置、一种存储器控制器的操作方法和一种日志数据管理方法。该存储装置包括：日志缓冲器，其被配置为存储多个日志数据段，日志缓冲器包括多个分块池和日志数据区，其中，多个日志数据段中的每一个包括对应于分块地址的第一数据项和对应于行地址的第二数据项；以及存储器控制器，其被配置为控制日志缓冲器以在多个分块池中的至少一个中临时存储多个日志数据段中的第一数据项彼此相等的第一日志数据段，并且基于对应于第一日志数据段的第二数据项之间的比较结果来重新排列第一日志数据段。
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公开(公告)号：CN108108810B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN114582401A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111228000.3
申请日：2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了在非易失性存储器件中写入数据的方法、执行写入数据的方法的非易失性存储器件以及使用写入数据的方法操作存储系统的方法。在非易失性存储器件中写入数据的方法中，接收写入命令、写入地址和要被编程的写入数据。在表示验证电平的偏移信息被提供时，接收偏移信息。当通过检查写入数据的输入/输出(I/O)模式而确定写入数据对应于分布劣化模式时，提供偏移信息。当接收到偏移信息时，基于偏移信息对写入数据进行编程，使得存储了写入数据的存储单元的阈值电压分布中包括的多个状态当中的至少一个状态改变。
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公开(公告)号：CN112486405A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010945601.5
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：特征信息数据库，被配置为存储关于存储器设备的特征信息；以及机器学习模块，被配置为基于该特征信息从与存储器设备的操作相对应的多个机器学习模型中选择机器学习模型，其中该存储器设备被配置为根据所选择的机器学习模型来进行操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112420110A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010836633.1
申请日：2020-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括第一单元串，该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元，其中，多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元；以及行解码器，其当读取存储器单元当中的第一存储器单元时，向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压，并且当读取第二存储器单元时，向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。
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公开(公告)号：CN111009280A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910832232.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。
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公开(公告)号：CN109671462A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201810863665.3
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/10 , G06K9/6223 , G06K9/6226 , G11C5/063 , G11C8/12 , G11C16/08 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C16/26
Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。
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公开(公告)号：CN108108810A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711191140.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号：CN110827907B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910733387.4
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
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