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公开(公告)号：CN103546737A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310300724.3
申请日：2013-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T19/20 , G06T3/40 , H04N7/0122 , H04N13/128 , H04N13/139 , H04N2013/0081
Abstract: 公开了一种图像数据缩放方法。所述图像数据缩放方法包括：产生包括深度信息的深度图，所述深度信息针对构成图像数据的3维3D图像帧的多个区域中的每个区域；基于所产生的深度图，设置3D图像帧的每个区域中的缩放比率；基于所设置的缩放比率，对3D图像帧进行缩放；以及输出缩放后的3D图像帧。
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公开(公告)号：CN100555205C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580001005.5
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F21/6218 , G06F21/10 , G06F21/78
Abstract: 提供一种便携式存储装置以及在所述便携式存储装置中管理文件的方法。便携式存储装置包括：控制模块，用于从接收的数据对数字版权管理数据进行分类，并形成包括所述数字版权管理数据的文件；以及存储模块，用于存储所述文件。所述方法包括：从接收的数据对数字版权管理数据进行分类，形成包括所述数字版权管理数据的文件，并将所述文件存储在存储模块中。因此，可安全地管理文件以适用DRM。
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公开(公告)号：CN1879102A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200580001202.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/00
CPC classification number: H04L9/0822 , G06F21/10 , H04L9/0825 , H04L9/0869 , H04L9/0877 , H04L63/0435 , H04L63/061 , H04L63/0869 , H04L2209/603 , H04L2463/101
Abstract: 提供一种在便携式存储器和装置之间重放基于数字版权管理(DRM)的内容的方法，及其便携式存储器。该方法包括：请求便携式存储器设置对于通过DRM保护的内容的重放权限；从便携式存储器接收加密的对于通过DRM保护的内容的重放权限；以及解密所述加密的重放权限，并使用解密的重放权限来重放通过DRM保护的内容。
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公开(公告)号：CN1842759A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580001005.5
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F21/6218 , G06F21/10 , G06F21/78
Abstract: 提供一种便携式存储装置以及在所述便携式存储装置中管理文件的方法。便携式存储装置包括：控制模块，用于从接收的数据对数字版权管理数据进行分类，并形成包括所述数字版权管理数据的文件；以及存储模块，用于存储所述文件。所述方法包括：从接收的数据对数字版权管理数据进行分类，形成包括所述数字版权管理数据的文件，并将所述文件存储在存储模块中。因此，可安全地管理文件以适用DRM。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1096035C
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN96122715.X
申请日：1996-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金泰成
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06F7/5332
Abstract: 在一种数据处理系统中，将预定位数的第3二进制字表示成第1和第2二进制字，先存贮与第3二进制字相同的第1二进制字和具有该预定位数的零位的第2二进制字，再从第3二进制字的最低有效位开始，检索在其中二进制“1”值的连续幂次位对，然后将每个第1和第2二进制字增加2的检出的连续幂次位对的最低次幂的乘方值，最好，对在第3二进制字中存在的其它二进制“1”值的较高位的连续幂次位对重复进行检索和增值的步骤。
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公开(公告)号：CN115132698A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210063164.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；集成电路层，在半导体衬底上；第一至第n金属布线层(其中n为正整数)，顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上；第一贯通孔结构，沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一；以及第二贯通孔结构，与第一贯通孔结构分开，沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。
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公开(公告)号：CN112018028A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010078912.6
申请日：2020-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括形成包括金属图案的第一结构和在第一结构上的第二结构。金属图案包括面对第二结构的上表面。所述方法还可以包括：蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔；使过孔中的第一蚀刻残余物氧化以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物；以及去除氧化的第一蚀刻残余物。在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，金属图案的上表面可以包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分和与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分。第一表面粗糙度可以比第二表面粗糙度大。
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公开(公告)号：CN107123443B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710067659.2
申请日：2017-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种一次可编程存储器及其数据写入方法。所述一次可编程(OTP)存储器包括：OTP单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的位置处的多个OTP单元；写入电路，被配置为通过一次选择所述多条位线中的一条位线和对连接到选择的位线的选择的OTP单元进行编程来对所述多个OTP单元进行编程，其中，写入电路还被配置为检测选择的位线的电压电平，并当检测的电压电平指示选择的OTP单元处于已编程状态时选择另一位线。
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公开(公告)号：CN110610923A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910504531.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件、一种半导体封装件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括位于所述第二结构中的第一通路部分和位于所述模制层中的第二通路部分，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。
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