公开(公告)号：CN112018028B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202010078912.6

申请日：2020-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪義官 ,  金泰成 ,  文光辰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括形成包括金属图案的第一结构和在第一结构上的第二结构。金属图案包括面对第二结构的上表面。所述方法还可以包括：蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔；使过孔中的第一蚀刻残余物氧化以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物；以及去除氧化的第一蚀刻残余物。在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，金属图案的上表面可以包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分和与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分。第一表面粗糙度可以比第二表面粗糙度大。

公开(公告)号：CN112018028A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010078912.6

申请日：2020-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪義官 ,  金泰成 ,  文光辰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括形成包括金属图案的第一结构和在第一结构上的第二结构。金属图案包括面对第二结构的上表面。所述方法还可以包括：蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔；使过孔中的第一蚀刻残余物氧化以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物；以及去除氧化的第一蚀刻残余物。在去除氧化的第一蚀刻残余物之后，金属图案的上表面可以包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分和与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分。第一表面粗糙度可以比第二表面粗糙度大。