公开(公告)号：CN104576736A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410440478.6

申请日：2014-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  金永权 ,  前田茂伸 ,  黄淳哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。

公开(公告)号：CN118866950A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410457452.6

申请日：2024-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  金永权 ,  郑秀真

IPC: H01L29/732 ,  H01L27/082

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型；阱区，所述阱区在所述衬底中具有第二导电类型；杂质注入区，所述杂质注入区在所述阱区中具有所述第一导电类型；元件分离图案，所述元件分离图案位于所述衬底中；第一鳍状图案，所述第一鳍状图案在所述杂质注入区中由所述元件分离图案限定；第二鳍状图案，所述第二鳍状图案在所述阱区中由所述元件分离图案限定；以及第三鳍状图案，所述第三鳍状图案在所述衬底中由所述元件分离图案限定，其中，所述第一鳍状图案是单个鳍状图案，并且所述杂质注入区的整个下边界与所述阱区接触。

公开(公告)号：CN104576736B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201410440478.6

申请日：2014-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 今井清隆 ,  金永权 ,  前田茂伸 ,  黄淳哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括步骤：在衬底上形成屏蔽层，该屏蔽层包括掺杂有第一类型的杂质的第一部分；在屏蔽层上形成第一未掺杂的半导体层；在第一半导体层上形成栅极结构；在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区；以及通过执行第一非晶区的第一热处理使第一非晶区再结晶。

公开(公告)号：CN110400764A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910091001.4

申请日：2019-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟现 ,  金永权 ,  金于哉 ,  柳承玟 ,  鱼智浩

IPC: H01L21/67 ,  B08B5/02

Abstract: 提供了气体注射器和晶圆处理设备，所述气体注射器包括：第一气体引入通道和第二气体引入通道，分别在第一方向上朝向处理室的中心轴延伸；第一旁路通道，在第二方向上从第一气体引入通道延伸，第二方向与第一方向基本垂直；第二旁路通道，在与第二方向相反的方向上从第二气体引入通道延伸；第一分流通道，在第一方向上与第一旁路通道分离，并且在与第二方向相反的方向上从第一旁路通道的出口延伸；第二分流通道，在第一方向上与第二旁路通道分离，并且在第二方向上从第二旁路通道的出口延伸；以及多个喷射孔，位于第一分流通道和第二分流通道的外表面中并且被造成喷射工艺气体。