公开(公告)号：CN214505493U

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202120937988.X

申请日：2021-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤根 ,  金恩知 ,  文钟淏 ,  文泂烈 ,  俞瀚植 ,  李基硕 ,  郑承宰 ,  安泰炫 ,  韩相然 ,  黄有商

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。