公开(公告)号：CN115692421A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210470252.5

申请日：2022-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  朴钟撤

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源图案和第二有源图案；栅电极，包括位于所述第一有源图案上的第一栅电极和位于所述第二有源图案上的第二栅电极；栅极切割图案，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；栅极间隔物，位于所述栅电极的相对的侧表面上；以及栅极覆盖图案，位于所述栅电极的顶表面、所述栅极切割图案的顶表面和所述栅极间隔物的顶表面上并且在所述第一方向上延伸。所述栅极切割图案包括在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。所述第一侧表面和所述第二侧表面与所述栅极间隔物中的相应的栅极间隔物接触，并且所述栅极切割图案的所述顶表面比成对的所述栅极间隔物的所述顶表面更靠近所述衬底。

公开(公告)号：CN109427903A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810844288.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵庚石 ,  金东权 ,  金哲 ,  吴怜默 ,  李正允 ,  郑铉澔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端。本公开的半导体器件具有改善的集成度。

公开(公告)号：CN103034364B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210382999.1

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  金志雄 ,  朴修玭 ,  文胜焕 ,  李炳俊

IPC: G06F3/041 ,  G09G3/36 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/044

Abstract: 一种用于驱动触摸显示面板的方法包含：向多条栅极线顺序地提供栅极信号；向多条数据线输出数据信号，所述数据线被放置在所述第一表面上并且与所述栅极线相交；以及响应于所述栅极信号，通过多条感测线读出第一感测信号。所述栅极线被放置在基底的第一表面上，所述触摸显示面板包括所述基底。所述数据信号与所述栅极信号同步。所述感测线被放置在所述基底的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。

公开(公告)号：CN110277388B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910006986.6

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  朴钟撤 ,  白桂铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括具有从其突出的多个鳍的衬底。所述多个鳍包括多个有源鳍以及设置在所述多个有源鳍中的有源鳍之间的至少一个非有源鳍。该半导体器件还包括与有源鳍的至少一部分交叉的至少一个栅电极。该半导体器件还包括与所述至少一个栅电极相邻地设置在有源鳍上并且通过所述至少一个非有源鳍彼此分开的多个源极/漏极区。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN110277388A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910006986.6

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金哲 ,  朴钟撤 ,  白桂铉

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括具有从其突出的多个鳍的衬底。所述多个鳍包括多个有源鳍以及设置在所述多个有源鳍中的有源鳍之间的至少一个非有源鳍。该半导体器件还包括与有源鳍的至少一部分交叉的至少一个栅电极。该半导体器件还包括与所述至少一个栅电极相邻地设置在有源鳍上并且通过所述至少一个非有源鳍彼此分开的多个源极/漏极区。