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公开(公告)号：CN100474387C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510078895.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , H03F3/005 , H03F3/505
Abstract: 提供一种模拟缓冲器，具有模拟缓冲器的显示设备和驱动模拟缓冲器的方法。模拟缓冲器将模拟电压施加到负载。模拟缓冲器包括一个比较器和一个晶体管。所述比较器配置成将从外部设备接收的输入电压与施加到负载的模拟电压进行比较。当模拟电压低于输入电压时，晶体管导通以对负载进行充电或当模拟电压高于输入电压时，晶体管导通以对负载进行放电，和当模拟电压变成基本上与输入电压相同时，晶体管被关断。
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公开(公告)号：CN100364053C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200380101946.7
申请日：2003-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01S3/10 , B23K26/02 , C23C16/24 , C23C16/48
CPC classification number: H01L27/1285 , B23K26/02 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。
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公开(公告)号：CN1636162A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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公开(公告)号：CN1501437A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03164983.1
申请日：2003-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。
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公开(公告)号：CN100568447C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200410094884.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100397560C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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公开(公告)号：CN1754253A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005096.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: B23K26/0676 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285
Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。
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公开(公告)号：CN1742360A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200380101946.7
申请日：2003-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01S3/10 , B23K26/02 , C23C16/24 , C23C16/48
CPC classification number: H01L27/1285 , B23K26/02 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反射器的位置；以及吸收器，用于吸收通过反射器反射的激光束。
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公开(公告)号：CN1630027A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410094884.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN1625709A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828781.9
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842
Abstract: 根据本发明，提供了一种平板显示器，该平板显示器包括形成多个像素的显示板。一个像素包括以任一方向延伸的第一和第二信号线以及连接到所述第一和第二信号线的像素电路，并且所述第一信号线和第二信号线互相交叉。所述像素电路包括多个存储器、多个分别连接到所述多个存储器的第一和第二开关元件、以及显示单元。所述存储器在预定时间期间存储经由第一信号线发送的数据。所述第一开关元件响应经由第二信号线发送的信号，将经由第一信号线传送的数据发送到相应的存储器。在一帧期间多个第二开关元件被顺序地驱动来将存储器中存储的数据发送到显示单元。所述显示单元根据存储器中存储的数据显示像素图像。
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