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公开(公告)号:CN1075620C
公开(公告)日:2001-11-28
申请号:CN95116209.8
申请日:1995-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金东河
CPC classification number: F21V7/0025 , F21V13/04 , G02B17/00
Abstract: 一个用于产生平行光的光源装置,配备着补偿光源本身投出的阴影的双重反射镜,此装置包括一个椭圆反光镜,一个位于椭圆反光镜近焦点上的光源,一个具有中心小孔的第一反射镜,用于把光源发出的光线反射回光源方向,一个位于光源正前方的第二反射镜,用于反射第一反射镜反射的光线,并使这些光线通过第一反射镜的小孔,以及一个平行校正透镜,用于聚集已通过第一反射镜的小孔的光线,形成平行光。
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公开(公告)号:CN1779530A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200510126019.1
申请日:2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/133
CPC classification number: H01L33/54 , G02F1/133603
Abstract: 一种侧向发光装置,包括:发光装置,用于产生光;和侧向发射器,用于将从所述发光装置入射的光沿侧向方向发射,所述侧向发射器包括:第一反射面,用于反射从所述发光装置发射进入所述侧向发射器的光;第二反射面,形成于所述侧向发射器的与所述发光装置接触的部分上,用于沿所述侧向方向反射从所述第一反射面反射的第一光;和折射面,用于折射第二光和所述第一光以使所述第二光和所述第一光沿侧向方向从所述侧向发射器出射,所述第二光由所述第一反射面反射然后直接传播向所述折射面,所述第一光从所述第一反射面反射到所述第二反射面然后再次由所述第二反射面反射。
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公开(公告)号:CN119517110A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411106632.6
申请日:2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4076
Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法。所述半导体存储器装置的自刷新方法包括:接收与自刷新操作相关联的自刷新进入命令;对从接收到自刷新进入命令的时间起经过的时间进行计数;以及根据在计数的经过的时间超过参考时间之前是否接收到自刷新退出命令来跳过自刷新操作。
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公开(公告)号:CN119229918A
公开(公告)日:2024-12-31
申请号:CN202410807805.0
申请日:2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 根据实施例的存储器装置包括存储器单元阵列、寄存器和刷新控制器,所述存储器单元阵列包括放置在多个行中的多个存储器单元,所述寄存器被配置为存储对应于多个行的行地址和多个行的访问计数,所述刷新控制器被配置为基于存储的行地址和接收到刷新命令确定刷新地址,以及基于刷新地址与先前对目标行执行的刷新相关联并且对应于目标行的行的访问计数达到阈值而改变目标行的刷新周期。
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公开(公告)号:CN118553281A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202311400370.X
申请日:2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 公开了半导体存储器装置及其自刷新方法,所述方法包括:生成指示半导体存储器装置的温度的温度码;生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志;基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作;生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志;以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作,其中,如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误,则第二刷新周期长于第一刷新周期。
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