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公开(公告)号：CN116913873A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211616740.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
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公开(公告)号：CN108511525B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710748871.5
申请日：2017-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
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公开(公告)号：CN112349716A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010267941.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案，在基底的有源区域上在第一方向上延伸；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案的上部上的凹部中；栅电极，横跨第一有源图案的上部上的第一沟道图案延伸并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及有源接触件，电连接到第一源极/漏极图案。
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公开(公告)号：CN111852853A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010354852.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种涡旋式压缩机，所述涡旋式压缩机包括：主体；盖，用于将所述主体分为低压段和高压段；定涡盘，包括第一排放口；动涡盘，相对于所述定涡盘旋转并且与所述定涡盘一起形成压缩室；排放引导件，设置在所述定涡盘与所述盖之间并且包括连接到所述第一排放口的第二排放口；以及背压致动器，被构造为与所述排放引导件一起形成背压室并且相对于所述排放引导件沿着朝向所述盖的方向运动，以使所述第二排放口与所述高压段选择性地连接。所述定涡盘包括：旁通流动路径，使所述压缩室和所述第二排放口连接；以及旁通阀，用于打开或关闭所述旁通流动路径。
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公开(公告)号：CN110364415A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910240455.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427778A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810993514.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。
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公开(公告)号：CN116364719A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211712947.6
申请日：2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括第一有源图案，第一有源图案具有第一下图案和在第一下图案上的第一片图案。第一栅极结构包括第一栅电极。第二有源图案包括第二下图案。第二片图案在第二下图案上。第二栅极结构包括围绕第二片图案的第二栅电极。第一源极/漏极凹陷在相邻的第一栅极结构之间。第二源极/漏极凹陷在相邻的第二栅极结构之间。第一源极/漏极图案沿着第一源极/漏极凹陷延伸。第一硅锗填充膜在第一硅锗衬垫上。第二源极/漏极图案包括沿着第二源极/漏极凹陷延伸的第二硅锗衬垫。第二硅锗填充膜在第二硅锗衬垫上。
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公开(公告)号：CN115910926A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210979114.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
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公开(公告)号：CN111065823B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201880056798.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种涡旋压缩机，其能够防止制冷剂的回流并降低流动噪音。涡旋压缩机有效地将吸入涡旋压缩机的制冷剂分配到压缩室和驱动单元。涡旋压缩机包括：主体；固定地安装在主体内的固定涡旋件；配置成与固定涡旋件接合并执行相对于固定涡旋件的绕动运动并且与固定涡旋件形成压缩室的绕动涡旋件；设置在固定涡旋件上方以将主体内部分隔成低压部分和高压部分的分隔板；安装在固定涡旋件的排放口处以打开和关闭排放口的第一止回阀；以及安装在分隔板上以打开和关闭允许低压部分和高压部分之间连通的开口的第二止回阀。
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公开(公告)号：CN111065823A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880056798.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种涡旋压缩机，其能够防止制冷剂的回流并降低流动噪音。涡旋压缩机有效地将吸入涡旋压缩机的制冷剂分配到压缩室和驱动单元。涡旋压缩机包括：主体；固定地安装在主体内的固定涡旋件；配置成与固定涡旋件接合并执行相对的绕动运动并且与固定涡旋件形成压缩室的绕动涡旋件；设置在固定涡旋件上方以将主体内部分隔成低压部分和高压部分的分隔板；安装在固定涡旋件的排放口处以打开和关闭排放口的第一止回阀；以及安装在分隔板上以打开和关闭允许低压部分和高压部分之间连通的开口的第二止回阀。
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