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公开(公告)号：CN114388544A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111176548.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括光入射在其上的第一侧以及与第一侧相对的第二侧；像素隔离图案，形成在基底内部，并且限定多个单元像素；第一光电转换区域和第二光电转换区域，沿着第一方向布置在所述多个单元像素中的每个单元像素内部；以及区域隔离图案，从像素隔离图案在与第一方向交叉的第二方向上突出，并且在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间限定隔离区域。隔离区域在第一侧上沿第二方向的第一宽度大于隔离区域在第二侧上沿第二方向的第二宽度的1.1倍。
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公开(公告)号：CN114388541A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111030575.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 本公开提供了图像传感器和包括图像传感器的电子系统。该图像传感器包括：具有感测区域的衬底、布置在感测区域中的浮置扩散区、在感测区域中布置在浮置扩散区周围的多个光电二极管、以及与多个光电二极管中的每个接触的像素间溢出(IPO)阻挡件，IPO阻挡件在感测区域内的与浮置扩散区垂直间隔开的位置处在垂直方向上重叠浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN112929585A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202011036929.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/232 , H04N5/357 , H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112289818A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010724657.8
申请日：2020-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 提供了一种像素阵列和包括该像素阵列的自动聚焦图像传感器。所述像素阵列包括衬底、多个像素、深器件隔离区域和多个第一接地区域。衬底包括其上设置有栅电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面。多个像素设置在衬底中，并且包括被配置为检测相位差的多个第一像素以及被配置为检测图像的多个第二像素。深器件隔离区域设置在衬底中，从衬底的第二表面基本上竖直地延伸，以将多个像素彼此隔离。多个第一接地区域被设置为在衬底中与第一表面相邻，并且仅与多个第一像素中的至少一些相邻。
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公开(公告)号：CN112702544B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202011138684.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/704 , H04N23/67 , H04N25/75
Abstract: 根据示例实施例的图像传感器包括：多个图像像素组；多个自动聚焦像素组；第一传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第一像素；第二传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第二像素；第三传输控制信号线，其连接到所述多个自动聚焦像素组中的每一个的第一像素；以及第四传输控制信号线，其连接到少数多个自动聚焦像素组中的每一个的第二像素，其中，所述第四传输控制信号线与所述第一传输控制信号线至所述第三传输控制信号线电隔离，并且其中，所述多个图像像素组和所述多个自动聚焦像素组中的每一个设置在单个微透镜下方。
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公开(公告)号：CN115295565A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210386997.3
申请日：2022-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体基底，具有第一表面和与第一表面相对设置的第二表面；像素分离结构，设置在半导体基底中并限定像素区域，并且限定并围绕像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，在像素区域上设置在半导体基底中；第一传输栅电极，设置在半导体基底的第一表面上并且位于第一光电转换区域与第一浮置扩散区域之间；第二传输栅电极，设置在半导体基底的第一表面上并且位于第二光电转换区域与第二浮置扩散区域之间；像素栅电极，设置在半导体基底的第一表面上并且与第一光电转换区域和第二光电转换区域中的一个叠置；以及杂质区域，设置在像素栅电极的相对侧上。
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公开(公告)号：CN112929585B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011036929.1
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/704 , H04N23/67 , H04N25/60 , H10F39/12 , H10F39/18
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点。将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
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公开(公告)号：CN114388543A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111170310.4
申请日：2021-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区、围绕第一像素区和第二像素区的第一隔离层、位于第一像素区和第二像素区之间的第二隔离层、以及布置在第一像素区和第二像素区上的微透镜。第一像素区和第二像素区中的每个包括光电转换器件。第二隔离层包括至少一个第一开口区，该至少一个第一开口区暴露位于第一像素区和第二像素区之间的区域的一部分。
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