公开(公告)号：CN1908789A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108364.7

申请日：2006-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭相基 ,  朴正浚 ,  白范基 ,  李敬弼

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1393 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。

公开(公告)号：CN1293609C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200310119645.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴云用 ,  白范基

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G02F1/136 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开一种薄膜的光刻方法，包括如下步骤：在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1825596A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001079.5

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  金爀珍

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该方法包括在基板上形成具有栅电极、源电极、和漏电极的薄膜晶体管；在源电极和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成光刻胶膜；使用光刻胶膜作为掩模选择性地蚀刻钝化层；形成导电膜；以及使用CMP(化学机械抛光)工艺去除光刻胶膜和设置在光刻胶膜上的导电膜，以形成连接到漏电极的像素电极。

公开(公告)号：CN1584720A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN1516244A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310119645.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴云用 ,  白范基

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G02F1/136 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开一种薄膜的光刻方法，包括如下步骤：在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1155058C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99125805.3

申请日：1999-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴云用 ,  白范基

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/027 ,  G02F1/13 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该制造方法包括步骤：形成栅线路；形成栅绝缘膜图案；形成半导体层图案；形成欧姆接触层图案；形成数据线路；形成钝化层图案；和形成与漏极电极相连接的多个像素极，其中，栅绝缘膜图案，是按不同位置使用不同厚度的光致抗蚀层图案，通过一步光刻工艺，随着半导体层图案、欧姆接触层图案、数据线路、钝化层图案和所述像素极中的至少一个形成的。