公开(公告)号：CN116249428A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550191.X

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  朴正桓 ,  朴正宪 ,  洪京一

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在基板上的第一磁性图案和第二磁性图案；在第一磁性图案和第二磁性图案之间的隧道势垒图案；在基板和第一磁性图案之间的下电极；在下电极和第一磁性图案之间的阻挡图案；在阻挡图案和第一磁性图案之间的金属氧化物图案；以及在金属氧化物图案和第一磁性图案之间的缓冲图案。下电极、阻挡图案、金属氧化物图案和缓冲图案分别包括第一非磁性金属、第二非磁性金属、第三非磁性金属和第四非磁性金属。金属氧化物图案具有非晶相。

公开(公告)号：CN112216789A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010392306.1

申请日：2020-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正桓 ,  金英铉 ,  吴世忠 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种包括第一顶部电极和在其上的第二顶部电极的数据存储器件。数据存储器件包括在衬底的上表面处的存储晶体管以及电连接到存储晶体管的数据存储结构。数据存储结构包括磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的顶部电极。顶部电极包括第一顶部电极和在第一顶部电极上的第二顶部电极，并且第一顶部电极和第二顶部电极包括相同的金属氮化物。第一顶部电极包括金属氮化物的第一晶粒，第二顶部电极包括金属氮化物的第二晶粒。在顶部电极的沿与衬底的上表面平行的第一方向截取的一截面中，沿第一方向的每单位长度的第一晶粒的数量大于沿第一方向的每单位长度的第二晶粒的数量。

公开(公告)号：CN110649154A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910159324.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。