公开(公告)号：CN1832202B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610004708.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 财团法人SEOUL大学校产学协力财团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 沈载星 ,  朴炳国 ,  李钟德 ,  金桢雨

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的空穴注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。

公开(公告)号：CN101465353A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185638.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛钟善 ,  申有哲 ,  沈载星

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/3468 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。