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公开(公告)号：CN117641901A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311075869.8
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 集成电路器件可包括在基底上的晶体管和电连接到所述晶体管的电容器结构体。所述电容器结构体可包括第一电极、在所述第一电极上的电介质层结构体和在所述电介质层结构体上的第二电极。所述电介质层结构体可包括交替堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。所述多个第一电介质层各自可包括反铁电材料，并且所述多个第二电介质层各自包括其中0
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公开(公告)号：CN117418214A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310713708.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 在沉积层的方法中，将衬底装载到腔室内的衬底台上。将前体气体和反应气体交替地供应到腔室中以形成至少一层原子层。通过对至少一层原子层的表面施加压力以将位于具有相对高曲率的表面上的分子扩散到相对较低曲率的位置，来平滑至少一层原子层的表面。可以继续将前体气体和反应气体交替地供应到腔室中，以在平滑后的原子层上形成另外的原子层。
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公开(公告)号：CN117403208A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856729.8
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , H01L21/268 , H10B12/00
Abstract: 提供一种形成薄膜的方法，该方法包括：向衬底供应前体以将前体选择性地吸附到衬底的表面的部分区域的操作；通过对衬底照射微波来执行区域选择性退火的操作；以及供应反应物以与吸附在衬底上的前体反应以形成薄膜单元层的操作，其中，照射到衬底上的微波在前体的至少一部分中引起振动，使得衬底的表面的吸附有前体的部分区域被局部加热。
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公开(公告)号：CN117316934A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310531121.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；衬底上方的下电极，下电极在竖直方向上延伸；支撑物，围绕下电极的侧壁并支撑下电极；下电极和支撑物上的介电层；以及介电层上的上电极，其中，下电极包括基底电极层和插入层，基底电极层包含卤族元素，并且插入层包含碳，并且插入层插入到下电极的一部分中，下电极的所述一部分与支撑物和介电层相邻。
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公开(公告)号：CN117135916A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310577798.5
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个下电极，所述多个下电极设置在所述衬底上；至少一个支撑层，所述至少一个支撑层与所述多个下电极接触并且在与所述衬底的上表面平行的方向上延伸；上电极，所述上电极设置在所述多个下电极和所述至少一个支撑层上；电介质层，所述电介质层位于所述多个下电极与所述上电极之间以及位于所述至少一个支撑层与所述上电极之间；以及阻挡层，所述阻挡层设置在所述至少一个支撑层与所述电介质层之间，并且包括带隙能大于所述至少一个支撑层的材料的带隙能的材料。所述电介质层与所述多个下电极接触并且通过所述阻挡层与所述至少一个支撑层间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116583104A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310045236.6
申请日：2023-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；接触插塞，其位于衬底上；下电极，其电连接到接触插塞，并且包括顺序地堆叠的第一电极层、第一缓冲层和第二电极层；第一支撑层，其与下电极的上表面接触并且被设置为与下电极的至少一部分重叠，第一支撑层在平行于衬底的上表面的方向上延伸；电介质层，其设置在下电极和第一支撑层上；以及上电极，其设置在电介质层上。下电极包括：第一区域，其与第一支撑层重叠并且具有第一高度；以及第二区域，其不与第一支撑层重叠，并且具有低于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN116171038A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211489629.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上；和电容器结构，电连接到晶体管，其中，电容器结构包括第一电极；介电层结构，设置在第一电极上；和第二电极，设置在介电层结构上，介电层结构包括：界面层，设置在第一电极上；第一介电层，设置在界面层上并且包括铁电材料、反铁电材料以及铁电材料和反铁电材料的组合中的任意一种；插入层，设置在第一介电层上；和第二介电层，设置在插入层上并且包括顺电材料。
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公开(公告)号：CN114203669A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110723495.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：接合垫，在基底上；下电极，在接合垫上，下电极包括外保护层、在外保护层的相对侧壁之间的导电层和在导电层的相对侧壁之间的内保护层；第一支撑图案，在下电极的侧表面上，第一支撑图案包括支撑孔；介电层，在下电极和第一支撑图案中的每个的表面上；以及上电极，在介电层上。外保护层包括氧化钛，导电层包括氮化钛，并且内保护层包括氮化钛硅。在水平剖视图中，外保护层具有在介电层与导电层之间延伸的弧形形状。
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公开(公告)号：CN118829206A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410202718.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底；衬底上的沟道区；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，该第一源极/漏极区和第二源极/漏极区电连接至沟道区；栅电极，其在第一方向上延伸并且位于沟道区上；导电线，其在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且电连接至第二源极/漏极区；以及电容器结构，其在衬底上电连接至第一源极/漏极区。电容器结构可包括：多个第一电极，该多个第一电极在垂直于衬底的上表面的第三方向上堆叠并且彼此间隔开；多个沟槽，该多个沟槽延伸至多个第一电极中；电容器电介质膜，其沿着多个沟槽中的每一个的侧壁延伸；以及多个第二电极，该多个第二电极分别在多个沟槽中。
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公开(公告)号：CN118678665A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311768945.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一杂质区和第二杂质区；第一字线，其在衬底的区中，且第一杂质区在第一字线的一侧上，而第二杂质区在第一字线的另一侧上；位线，其连接至第一杂质区；第一导电图案，其连接至第二杂质区；第一导电图案上的第一局部电极和第二局部电极；第一电介质层，其接触第一局部电极的上表面和第二局部电极的上表面；以及第一电介质层上的公共电极。第一局部电极的上表面的面积可与第二局部电极的上表面的面积不同。
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