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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1244598A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN98122757.0
申请日：1998-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C26/00
CPC classification number: H05B33/04 , C23C16/44 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/31604 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供了一种薄膜制备方法。该方法通过在基片上致密化学吸附第一种反应剂和第二种反应剂,从而利用化学交换形成固态薄膜。根据本发明,由于该第一种反应剂和该第二种反应剂是致密化学吸附的并且通过清洗或抽气完全去除了杂质,故有可能制备膜密度高的精确化学计量薄膜。
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公开(公告)号：CN1222765A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98115946.X
申请日：1998-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/3162
Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
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公开(公告)号：CN115053198B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202180013195.1
申请日：2021-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/20 , G06F1/3215 , G06F1/3228 , G06F1/3287 , G06F1/329
Abstract: 在某些实施例中，一种电子装置包括温度传感器；以及，处理器，其中所述处理器被配置为：检测所述电子装置的温度超过预定温度；当所述温度超过所述预定温度时，驱动满足预定条件的至少一个进程达时间段的一部分，并且在剩余的时间段内不驱动所述至少一个进程。
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公开(公告)号：CN118317598A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410011413.3
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种具有改进的性能和可靠性的半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；单元区域隔离层，其将单元区域与外围区域分离；以及多个单元栅极结构，其各自包括在第一方向上延伸的单元栅电极。单元区域包括多个有源区域，其在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且在相应单元元件隔离层和单元区域隔离层之间。每个有源区域包括通过单元栅极结构分离的第一部分和第二部分，有源区域的第二部分在有源区域的第一部分中的相应一个的两侧。有源区域包括正常有源区域和虚设有源区域。
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公开(公告)号：CN101221725B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710305786.8
申请日：2007-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/30 , G09G3/32 , H03K17/687
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/3225 , G09G2300/0809 , G09G2310/0216 , G09G2310/0262 , G09G2320/043
Abstract: 显示装置包括发光元件、电容器、驱动晶体管、以及第一至第三开关单元。电容器连接在第一节点和第二节点之间。驱动晶体管具有与第一电压相连接的输入端、输出端、以及与第二节点相连接的控制端，并且其输出驱动电流到发光元件。第一开关单元选择并将数据电压和第二电压中的一个连接到第一节点。第二开关单元切换在第二电压和第二节点之间的连接。第三开关单元选择并将第二节点和发光元件中的一个连接到驱动晶体管的输出端。
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