公开(公告)号：CN106056190B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201610160355.6

申请日：2016-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相孝 ,  文炳泽 ,  宋壹种 ,  李炳勋

IPC: G06K19/07

Abstract: 提供了便携式装置中的近场通信(NFC)封装件和NFC的方法。所述NFC封装件包括安全存储装置和NFC控制器，安全存储装置被构造为存储数据，NFC控制器被构造为从安全存储装置接收数据，在NFC模式下通过执行NFC通信将接收到的数据提供到第一外部终端，并且在磁力安全传输(MST)模式下通过执行MST通信将接收到的数据提供到第二外部终端。

公开(公告)号：CN105529531A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510657387.2

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李荣起 ,  宋壹种 ,  李载奭 ,  张要翰 ,  李炳勋

IPC: H01Q1/44 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/50

CPC classification number: H04L25/0278 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0081 ,  H04W4/80 ,  H01Q1/44 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/50

Abstract: 提供了一种近场通信装置和具有该近场通信装置的电子装置。近场通信(NFC)装置可以包括：NFC电路，被构造成执行NFC；天线结构，连接到NFC电路；和/或匹配电路，被构造成在NFC电路和天线结构之间执行阻抗匹配。天线结构可以包括：天线段，被构造成形成围绕包括NFC电路和匹配电路的机身的外围的金属框；和/或第一缝隙，形成在天线段的第一端和第二端之间。天线段可以包括分别形成在天线段的第一端和第二端的第一馈电端和第二馈电端。天线段的第一馈电端可以连接到匹配电路的第一端。天线段的第二馈电端可以连接到匹配电路的第二端。

公开(公告)号：CN100517228C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510082149.X

申请日：2005-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋

IPC: G06F9/445

CPC classification number: G06F9/4401 ,  G06F8/654 ,  G06F8/66

Abstract: 本发明提供了一种储存器系统和对应的方法，用于执行在其上存储的引导程序代码，该存储器系统包括：模式解码器；第一存储器，其与模式解码器进行信号通讯；第二存储器，其与模式解码器进行信号通讯；和模式发生器，其与模式解码器进行信号通讯，并产生信号以指示选择第一和第二储存器中的一个作为引导存储器。并且执行引导程序代码的方法包括：开始时从第一存储器引导系统；编程第二存储器用于随后的引导；编程模式发生器以随后从第二存储器来引导系统；和随后从第二存储器来引导系统。

公开(公告)号：CN1577605A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410068445.X

申请日：2004-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  郑七熙

IPC: G11C5/12

CPC classification number: G11C16/0425

Abstract: 一种集成电路存储器件包括编程存储单元和可编程和可擦除存储单元。该存储器件包括第一存储阵列块，其中布置了编程的存储单元，和第二存储阵列块，其中布置了可编程和可擦除存储单元。第一存储阵列块中的编程存储单元在半导体制造工艺期间以预定数据进行编程，并可以是掩模只读存储(ROM)单元。第二存储阵列块中的可编程和可擦除存储单元在半导体制造工艺之后以预定数据进行编程和擦除，并可以是电可擦除和可编程只读存储(EEPROM)单元或闪速存储单元。

公开(公告)号：CN109901358A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811502452.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕锡 ,  李明秀 ,  李炳勋

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F1/54 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了一种光掩模及其制造方法。该光掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)基板，包括第一表面和第二表面；设置在低热膨胀材料基板的第一表面上并且包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层的反射层；在反射层上的光吸收图案；和在低热膨胀材料基板的第二表面上的导电层，其中低热膨胀材料基板包括校正光吸收图案的校正缺陷，并且导电层由钌氧化物(RuO2)、铱氧化物(IrO2)和/或其组合中的一种形成。

公开(公告)号：CN105610470A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510772171.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张要翰 ,  文炳泽 ,  李荣起 ,  宋壹褈 ,  李炳勋

IPC: H04B5/00 ,  H04B5/02 ,  H04B1/3827

Abstract: 提供了嵌入可穿戴电子装置中的近场通信芯片及可穿戴电子装置。根据示例实施例的可穿戴电子装置包括：显示面板，被配置成显示图像；主板，包括被配置成控制可穿戴电子装置的操作的处理器；金属框，限定可穿戴电子装置的周界，金属框包括金属材料，金属框具有第一端子和第二端子，第一端子与第二端子相邻并且在第一端子与第二端子之间具有缝隙；回路天线，在显示面板与主板之间，回路天线被配置成连接到金属框的第一端子和第二端子；近场通信(NFC)芯片，被配置成连接到金属框和回路天线，NFC芯片被配置成通过利用金属框和回路天线发送或接收NFC信号来执行近场通信。

公开(公告)号：CN101241752B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200810085618.7

申请日：2008-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起弘 ,  李炳勋 ,  李承源 ,  金善券

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C16/20

Abstract: 本发明提出了一种存储卡和包含所述存储卡的存储系统。所述存储卡包括：第一存储芯片，响应所有外部输入命令；以及第二存储芯片，响应于外部输入命令中与数据的读取、编程、以及擦除操作相关的命令。存储在第一存储芯片内的卡识别信息包括与所述第一和第二存储芯片大小之和相对应的容量信息。存储卡的多个存储芯片在设计各种形式存储容量的存储卡时很有用。

公开(公告)号：CN101295543B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200710303586.9

申请日：2007-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善券 ,  李炳勋

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 一种操作非易失性存储设备的方法，包括在连续写操作的执行之间的时期，对于编程和/或擦除所述非易失性存储设备的存储单元将写电压维持在预定电压电平。例如，响应于开始写命令，可以将所述写电压激活为预定电压电平，并且响应于指示连续写命令的信号，可以阻止所述写电压的放电。还讨论了相关的设备。

公开(公告)号：CN100538868C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510070197.7

申请日：2005-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  金善券

IPC: G11C5/14 ,  G05F1/46 ,  G05F1/56

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 提供一种内部电压生成器和方法，内部电压生成器包括第一参考电压生成器，用于接收外部电压并提供第一参考电压、第二参考电压生成器，用于接收内部电压并提供第二参考电压、以及电压调节器，其与第一参考电压生成器和/或第二参考电压生成器信号联络，以接收第一或第二参考电压并提供内部电压；产生内部电压的方法包括接收外部电压、响应于所接收外部电压生成第一参考电压、相应于第一参考电压调节内部电压、响应于内部电压生成第二参考电压、以及相应于第二参考电压调节内部电压。

公开(公告)号：CN101246736A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009907.9

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳勋 ,  金起弘 ,  李承源 ,  金善券

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C16/0483

Abstract: 提供了一种存储器系统及其数据读取方法。一种存储器系统包括存储器和操作以控制所述存储器的存储器控制器。所述存储器包括：可以以随机存取模式操作的存储器单元阵列；NAND闪速存储器；和选择电路，使所述存储器控制器操作所述随机可存取存储器或所述NAND闪速存储器。