公开(公告)号：CN100456385C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410003614.1

申请日：2004-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅珍 ,  朴玩濬

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/324

Abstract: 提供一种磁致电阻随机存取存储器。该磁致电阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁致电阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。

公开(公告)号：CN100351906C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410103738.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭 ,  李炅珍 ,  洪寿烈

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。

公开(公告)号：CN1484219A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03147266.4

申请日：2003-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丙圭 ,  吴薰翔 ,  李炅珍

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/74 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/001 ,  G11B2005/0029

Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。