公开(公告)号：CN120035151A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411137745.2

申请日：2024-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁润硕 ,  李润相 ,  金敏秀 ,  申宰宇 ,  安珉焕 ,  郑允敬 ,  郑震硕

IPC: H10B80/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装件，包括：多个第一半导体芯片，多个第一半导体芯片沿垂直方向顺序地堆叠，并且经由多个第一贯通电极彼此连接，多个第一半导体芯片中的每个第一半导体芯片在水平方向上具有第一宽度；第二半导体芯片，第二半导体芯片位于多个第一半导体芯片下方，并且经由多个第二贯通电极连接到多个第一半导体芯片，第二半导体芯片在水平方向上具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；再分布层，再分布层位于第二半导体芯片下方，再分布层在水平方向上具有第三宽度，第三宽度基本上等于第二宽度；以及多个第一连接凸块，多个第一连接凸块位于第二半导体芯片与再分布层之间。

公开(公告)号：CN103544984A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310290656.7

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金燦景 ,  车秀镐 ,  姜东锡 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  李润相 ,  金惠珍

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/165 ,  G11C5/025 ,  G11C5/04 ,  G11C7/1009 ,  G11C7/1054 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1081 ,  G11C7/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/5607 ,  G11C13/047 ,  G11C29/022 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50008

Abstract: 公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。

公开(公告)号：CN103456356A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310215130.2

申请日：2013-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润相 ,  姜东锡 ,  姜尚范 ,  金燦景 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  吴泂录

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/1653 ,  G11C7/12 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697

Abstract: 本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。

公开(公告)号：CN103426461A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310185288.X

申请日：2013-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿景 ,  姜东锡 ,  金惠珍 ,  朴哲佑 ,  孙东贤 ,  李润相 ,  姜尚范 ,  吴泂录 ,  车秀镐

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/165 ,  G06F12/0246 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693

Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。

公开(公告)号：CN101166195B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200710146371.0

申请日：2007-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁治焕 ,  李天茂 ,  李润相 ,  李贤雨 ,  高万圣 ,  徐范喜

IPC: H04L29/08 ,  H04L12/16 ,  H04L29/12

CPC classification number: H04W72/0406

Abstract: 一种便携式因特网服务系统，包括：多个终端，发送上行链路数据来执行无线通信；以及基站，接收来自所述多个终端的上行链路数据，发送下行链路数据到所述多个终端，并建立点对点功能以执行所述多个终端之间的点对点传输。

公开(公告)号：CN1783338B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200510087401.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泽善 ,  李润相 ,  李祯培

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/40618 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明公开了与多存储体同步动态存取存储器(SDRAM)电路、模块和存储系统一起使用的方法和装置。在所描述的一个实施例中，SDRAM电路接收用于自动刷新操作的存储体地址，并对指定的存储体和对当前刷新行执行自动刷新操作。该存储器件允许在对所有存储体和当前刷新行完成自动刷新操作之前进入自刷新模式。该存储器件在对新行执行自刷新操作之前完成对当前刷新行的刷新操作。还描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN1497607A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310100727.9

申请日：2003-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润相 ,  李祯培

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/409 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C7/1021 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12

Abstract: 一种具有部分激活构架的半导体存储器件，在以部分激活模式操作的同时提供有效的页面模式操作。控制电路和方法被用来启动具有部分激活构架的半导体存储器件(比如DRAM，FCRAM)中的页面模式操作(用于读写数据存取)，从而提高当数据从具有相同字线地址的存储位置写/读时的数据存取速度。在一个方面，一种存取存储器中数据的方法包括：激活对应于第一地址的第一字线以执行数据存取操作；接收第一地址后的第二地址，如果第二地址与第一地址相同，生成页面模式启动信号，以便在激活对应于第二地址的第二字线的同时保持对应于第一地址的第一字线的已激活状态；并响应页面模式启动信号的禁止，去激活第一和第二字线。