公开(公告)号：CN115117077A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210285396.3

申请日：2022-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫周 ,  金柄宅 ,  李海旻

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 本公开涉及半导体存储器件和包括其的数据存储系统。该半导体存储器件包括：基板；在第一方向上堆叠的栅电极；穿透栅电极的沟道结构；在基板上且在栅电极下面的水平导电层；分隔区域，穿透栅电极和水平导电层并在第一方向和第二方向上延伸；覆盖栅电极的单元区域绝缘层；以及在分隔区域和单元区域绝缘层上并具有与分隔区域重叠的开口的上支撑层。每个分隔区域包括在沟槽中的接触导电层和第一分隔绝缘层，并具有在开口下面的第一区域和与第一区域交替的第二区域。接触导电层在第一区域中与基板接触，并在第二区域中通过第一分隔绝缘层与基板间隔开。

公开(公告)号：CN114520233A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111368625.X

申请日：2021-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 3D半导体存储器装置包括外围电路结构、中间绝缘层和单元阵列结构。单元阵列结构包括：第一衬底，其包括单元阵列区域和连接区域；堆叠结构，其包括交替地堆叠在第一衬底上的电极层和电极层间绝缘层；平面化绝缘层，其覆盖堆叠结构的位于连接区域上的端部；以及第一导通孔，其穿透平面化绝缘层、第一衬底和中间绝缘层。第一导通孔将电极层之一连接到外围电路结构。第一导通孔包括彼此一体地连接的第一过孔部分和第二过孔部分。第一过孔部分穿透平面化绝缘层，并且具有第一宽度。第二过孔部分穿透中间绝缘层，并且具有大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN112310094A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010648988.8

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻 ,  金钟源 ,  姜信焕 ,  金森宏治 ,  韩智勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体装置，包括：第一堆叠件组，其具有交替且重复地堆叠在衬底上的第一层间绝缘层和第一栅极层；以及第二堆叠件组，其包括交替且重复地堆叠在第一堆叠件组上的第二层间绝缘层和第二栅极层。分离结构穿过第一堆叠件组和第二堆叠件组，并包括第一分离区域和第二分离区域。竖直结构穿过第一堆叠件组和第二堆叠件组，并包括第一竖直区域和第二竖直区域。导电线电连接到第二堆叠件组上的竖直结构。第一竖直区域的上端与衬底的上表面之间的距离大于第一分离区域的上端与衬底的上表面之间的距离。

公开(公告)号：CN111668230A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201911155026.2

申请日：2019-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻 ,  金光洙 ,  沈善一

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：栅电极，在基底上布置得沿垂直于基底的上表面的第一方向彼此分隔开；上绝缘层，布置在最上面的栅电极上；沟道结构，沿第一方向穿透上绝缘层和栅电极；以及串选择线切割绝缘层，使上绝缘层和最上面的栅电极水平地分离。串选择线切割绝缘层中的每个包括突起，该突起朝向最上面的栅电极突出，并且与第一栅电极位于相同水平上。