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公开(公告)号：CN114156277A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111429771.9
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成包括竖直地且交替地层叠的绝缘层和水平层的薄层结构；在薄层结构上形成包括竖直地层叠的多个上水平图案的上结构，上结构在连接区上具有在第一方向上形成的第一阶梯结构以及在垂直于第一方向的第二方向上形成的第二阶梯结构；形成掩模图案，掩模图案暴露上结构的第一阶梯结构和第二阶梯结构在连接区上的一部分以及薄层结构在连接区上的一部分；以及使用掩模图案作为蚀刻掩模执行焊盘蚀刻工艺以蚀刻上结构的一部分和薄层结构的一部分。
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公开(公告)号：CN106981491B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710033439.8
申请日：2017-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和垂直非易失性存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括交替地且竖直地堆叠在基底上的第一电极和第二电极，并且在连接区域上具有阶梯状结构。第一电极和第二电极中的每个可以包括：电极部分，设置在单元阵列区域上，以沿第一方向延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开；电极连接部分，设置在连接区域上，以沿第二方向延伸并且使电极部分彼此水平地连接；突出，在连接区域上设置为从电极连接部分沿第一方向延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN110085594A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910074254.0
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，位于基体基底上，所述栅极堆叠结构包括在与基体基底的表面垂直的方向上堆叠并且彼此分隔开的栅电极；贯通区，贯穿栅极堆叠结构并且被栅极堆叠结构围绕；以及第一垂直通道结构和第二垂直通道结构，位于贯通区的两侧上并且贯穿栅极堆叠结构，其中，贯通区位于第一垂直通道结构和第二垂直通道结构之间。
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公开(公告)号：CN106992181A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611179008.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了三维(3D)半导体器件，其中一种3D半导体器件包括包含层叠在基板上的第一叠层和第二叠层的叠层结构。第一叠层和第二叠层的每个包括第一电极和在第一电极上的第二电极。第一叠层的第二电极的侧壁与第二叠层的第二电极的侧壁水平地间隔开第一距离。在第一叠层和第二叠层的每个中，第一电极的侧壁与第二电极的侧壁水平地间隔开第二距离。第二距离小于第一距离的一半。
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公开(公告)号：CN100399759C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510007890.X
申请日：2005-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在使无线公用和专用网交互工作时提供数据服务的方法和系统，当要通过使无线公用网和有线/无线专用网交互工作的网络内的专用网来传送数据服务时，允许通过专用网来传送数据服务数据。一种在使无线公用和专用网交互工作时提供数据服务的方法，包括：由用户传送数据服务请求信号；由所述专用网根据标识符信息来确定通过所述专用和公用网的哪一个来传送所述数据服务；当根据标识符信息确定了其是所述专用网数据服务呼叫时，向所述专用内容服务器传送专用网数据服务呼叫；以及当根据标识符信息确定了其是所述公用网数据服务呼叫时，向所述公用网内容服务器传送公用网数据服务呼叫。结果，优点在于：可以通过从公用网和专用网所选的任一个来转发分组数据服务。另外，另一优点在于：通过修改系统可经由专用网来得到数据服务，而无需改变每一个用户终端，因此，几乎不会引起附加成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100385545C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510064030.X
申请日：2005-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B17/028
Abstract: 本发明公开一种夹持器和使用该夹持器的盘驱动装置。所述夹持器包括主体；可动部件，其插入到从主体中心突起的引导部，从而使可动部件可以沿引导部上下移动；具有多个对置的凸块；弹性部件，在可动部件下方插入到引导部，用于弹性地向上偏压可动部件；和固定部件，安装在引导部的上方，用于防止可动部件从引导部脱离。
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公开(公告)号：CN114156278A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111431970.3
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 提供了制造三维(3D)半导体存储器件的方法。该方法可以包括：在包括单元阵列区和连接区的基板上形成薄层结构；形成第一掩模图案；使用第一掩模图案作为蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以蚀刻薄层结构；执行减小第一掩模图案的面积的第一修整工艺；交替地且重复地执行第一蚀刻工艺和第一修整工艺以在连接区上形成上结构；形成第二掩模图案；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺以蚀刻薄层结构和上结构；执行减小第二掩模图案的面积的第二修整工艺；以及交替地且重复地执行第二蚀刻工艺和第二修整工艺以在上结构下方形成多个中间结构。
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公开(公告)号：CN106992181B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201611179008.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了三维(3D)半导体器件，其中一种3D半导体器件包括包含层叠在基板上的第一叠层和第二叠层的叠层结构。第一叠层和第二叠层的每个包括第一电极和在第一电极上的第二电极。第一叠层的第二电极的侧壁与第二叠层的第二电极的侧壁水平地间隔开第一距离。在第一叠层和第二叠层的每个中，第一电极的侧壁与第二电极的侧壁水平地间隔开第二距离。第二距离小于第一距离的一半。
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公开(公告)号：CN107039457B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710011121.X
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构具有在连接区上在第一方向上延伸的第一阶梯结构以及在连接区上在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构。每个中间层叠结构暴露设置在其下面的中间层叠结构的第三阶梯结构。
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公开(公告)号：CN112366206A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011291354.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器件及其制造方法。3D半导体存储器件可以包括：基板，包括单元阵列区和连接区；下层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的多个下电极，下层叠结构在连接区上具有在第一方向上延伸的第一阶梯结构和在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二阶梯结构；以及多个中间层叠结构，竖直地层叠在下层叠结构上。每个中间层叠结构包括竖直地层叠的多个中间电极并且在连接区上具有在第二方向上延伸的第三阶梯结构和在第一方向上延伸的第四阶梯结构。相对于基板的顶表面，第一阶梯结构的斜坡具有第一倾斜角，第二阶梯结构的斜坡具有基本上等于第一倾斜角的第二倾斜角，第四阶梯结构的斜坡具有不同于第一倾斜角的第三倾斜角。
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