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公开(公告)号：CN110729291B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910603071.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN108074984B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201711128763.4
申请日：2017-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件能够通过在源极/漏极区域中形成含碳的半导体图案来改善短沟道效应。该半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，在鳍型图案上彼此间隔开；凹陷，形成在第一栅电极与第二栅电极之间的鳍型图案中；以及半导体图案，包括沿凹陷的轮廓形成的下半导体膜和在下半导体膜上的上半导体膜，其中下半导体膜包括顺序地形成在鳍型图案上的下外延层和上外延层，并且上外延层的碳浓度大于下外延层的碳浓度。
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公开(公告)号：CN110729291A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910603071.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN110718590A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910630460.5
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸；和源极/漏极区，其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内，其中，源极/漏极区包括：第一源极/漏极材料层；在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。
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公开(公告)号：CN110137137A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910103231.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116913873A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211616740.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
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公开(公告)号：CN107039507B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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公开(公告)号：CN108231891B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201711108354.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
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公开(公告)号：CN109904161A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811311113.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填充形成在第一有源图案的上部上的第一凹部的第一源极/漏极图案。该第一源极/漏极图案包括第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。第一半导体图案具有第一面、第二面和当第一面和第二面彼此会合时限定的第一角边缘。该第二半导体图案覆盖第一半导体图案的第一面和第二面并暴露第一角边缘。
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公开(公告)号：CN109427778A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810993514.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一鳍型图案；在基板上的第二鳍型图案，平行于第一鳍型图案；以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。
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