公开(公告)号：CN101562125B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200810173457.7

申请日：2008-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载煌 ,  朴尚容 ,  李宁浩

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法，其中单元阵列区域内形成的多个导线和将导线连接到外围电路的接触垫整体形成。此方法中，在包括待蚀刻膜的衬底上单元块内形成均包括沿第一方向延伸的第一部分和与第一部分整体形成并沿第二方向延伸的第二部分的多个模型掩模图案。在衬底上形成覆盖每个模型掩模图案的侧壁和上表面的第一掩模层。通过部分去除第一掩模层形成第一掩模图案，从而保留第一掩模层的第一区域并去除第一掩模层的第二区域。第一掩模层的第一区域位于多个模型掩模图案中相邻模型掩模图案之间而覆盖相邻模型掩模图案的侧壁，而第一掩模层的第二区域覆盖多个模型掩模图案的侧壁与模型掩模图案块的最外侧壁对应的部分。

公开(公告)号：CN108461475A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810270157.4

申请日：2013-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷东锡 ,  李宁浩 ,  李俊熙 ,  李锡元 ,  申有哲

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/24 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/441 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/441 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。

公开(公告)号：CN101764130B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200910266326.8

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宁浩 ,  沈载煌 ,  罗暎燮

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/033 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。

公开(公告)号：CN101764130A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266326.8

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宁浩 ,  沈载煌 ,  罗暎燮

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/033 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的图案的方法，在半导体器件的图案的形成方法中，通过在一部分器件区中进行双重构图而使得图案密度加倍且不同宽度的图案被同时形成，具有可容易地应用该方法的结构的半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上彼此平行地延伸的多个线图案。从多个线图案中在第二方向上间隔选出多个第一线图案，并且每个第一线图案具有靠近第一侧的第一端。从多个线图案中在第二方向上间隔选出的多个第二线图案，并且每个第二线图案具有靠近第一侧的第二端。第一线图案与第二线图案交替，每个第一线图案的第一端比每个第二线图案的第二端更远离第一侧。