公开(公告)号：CN108231573A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN103019050B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201210357232.3

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 尹孝镇 ,  辛成健 ,  李孝善 ,  金柄郁 ,  金贤友 ,  尹锡壹 ,  权五焕

IPC: G03F7/42 ,  B05C11/10 ,  B05C11/11

CPC classification number: G03F7/168 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及RRC过程和EBR过程用的稀释剂组合物、及供应前者的设备。所述RRC(减胶涂覆)过程用的稀释剂组合物包括乳酸烷基酯、环己酮和乙酸烷基酯，其中所述乙酸烷基酯的烷基取代基为C1‑C5非基于醚的烷基。