公开(公告)号：CN109785892B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201811309881.X

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在润 ,  权俊秀 ,  金炳秀 ,  朴商秀 ,  朴一汉 ,  李宗勋

IPC: G11C29/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/12

Abstract: 一种存储器器件，可以包括：存储器单元阵列，包括存储器单元和连接到存储器单元的字线；时钟产生器，被配置为根据系统时钟信号来产生第一泵浦时钟信号；电荷泵，被配置为使用电源电压和第一泵浦时钟信号来提供泵浦电压信号；补偿电路，被配置为根据电源电压的变化补偿第一参考时钟信号的变化，并且提供补偿后的第一参考时钟信号；以及合格/失败(P/F)确定电路，被配置为通过在所述泵浦电压信号被提供给字线的同时，比较所述第一泵浦时钟信号与所述补偿后的第一参考时钟信号，来确定所述字线是否有缺陷。

公开(公告)号：CN113497035A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011342115.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  金大元 ,  朴范琎 ,  朴硕炯 ,  朴星一 ,  申在训 ,  杨奉燮 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。

公开(公告)号：CN109785887A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811318597.9

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在润 ,  朴一汉 ,  朴准镛 ,  金炳秀

IPC: G11C16/08 ,  G11C29/44 ,  G11C29/00

Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备及其操作方法。用于对多个存储器块中的第一存储器块进行编程的操作方法包括：通过顺序执行第一至第N(N是自然数)编程循环对连接到第一存储器块的第一字线进行编程；在编程完成之后，将通过调节第一电荷泵的第一泵电压所生成的电压施加到第一字线作为虚拟验证电压；基于第一泵电压和第一参考电压生成第一检测计数；并且，基于将第一检测计数与第一参考计数进行比较的结果，输出用于将第一存储器块设置为坏块的坏块设置信号。