公开(公告)号：CN118693082A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410177201.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋寅铉 ,  梁正吉 ,  李商文 ,  姜明吉 ,  金钟守 ,  朴范琎

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；鳍型有源区，在衬底上突出；沟道区，在鳍型有源区上并且包括沿第一水平方向延伸的多个有源图案以及半导体材料层；栅极线，沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸，并且在鳍型有源区上覆盖沟道区；以及一对源/漏区，在鳍型有源区上且在栅极线的两侧，其中，半导体材料层的功函数不同于多个有源图案的功函数，半导体材料层围绕栅极线的在多个有源图案之间的部分，并且栅极线与一对源/漏区分离，半导体材料层在栅极线与一对源/漏区之间。

公开(公告)号：CN118522716A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410180266.2

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金真范 ,  李商文

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置包括：基板绝缘层；栅极结构，其在基板绝缘层上在一个方向上延伸；源极/漏极区域，其在栅极结构之外；以及背面接触插塞，其在源极/漏极区域下方以具有在水平方向上从源极/漏极区域的第一中心轴偏移的第二中心轴，并且连接到源极/漏极区域，其中，源极/漏极区域包括：第一外延层，其以第一浓度包括非硅元素；以及第二外延层，其在第一外延层上并且以高于第一浓度的第二浓度包括非硅元素，并且背面接触插塞的上表面的至少一部分与第二外延层接触。

公开(公告)号：CN116895656A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310221219.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  李商文 ,  金东宇 ,  黄仁建

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体装置包括：下图案，其在第一方向上延伸，并且在第二方向上从衬底突出；下绝缘图案，其位于下图案上，并且与下图案的上表面接触；沟道图案，其位于下绝缘图案上；多个栅极结构，其位于下图案上并且在第一方向上彼此间隔开，其中，多个栅极结构中的每一个包括栅电极和栅极绝缘膜；以及源极/漏极图案，其设置在下图案上，并且连接到沟道图案。源极/漏极图案的最下部的竖直水平低于下绝缘图案的底表面的竖直水平。栅电极在第二方向上与下绝缘图案重叠。

公开(公告)号：CN109494157B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201811062733.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  李商文 ,  金利桓 ,  宋宇彬 ,  申东石 ,  李承烈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。

公开(公告)号：CN115295619A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210423953.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金真范 ,  金东宇 ,  申东石 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含有源图案的基板、在有源图案上的沟道图案和源极/漏极图案、提供在沟道图案上并在第一方向上延伸的栅电极、以及联接到源极/漏极图案的有源接触。有源接触包括掩埋在源极/漏极图案中的掩埋部分以及在掩埋部分上的接触部分。掩埋部分包括提供在源极/漏极图案的下部中的扩展部分以及将接触部分连接到扩展部分的垂直延伸部分。

公开(公告)号：CN112909074A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202011282169.2

申请日：2020-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金傔 ,  金东宇 ,  李智惠 ,  金真范 ,  李商文 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极/漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极/漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极/漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。

公开(公告)号：CN112017965B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202010360788.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在文 ,  金傔 ,  李承勋 ,  金茶惠 ,  慎一揆 ,  李商文 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成有源图案，有源图案包括交替地堆叠的第一半导体图案和第二半导体图案；在有源图案的顶表面和侧壁上形成盖图案；在盖图案上执行沉积工艺以形成绝缘层；以及在绝缘层上形成与有源图案交叉的牺牲栅极图案。盖图案具有晶体结构并且与第一半导体图案的侧壁和第二半导体图案的侧壁物理接触。

公开(公告)号：CN119108426A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410236361.X

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南勇准 ,  金真范 ,  李商文 ,  金傔 ,  金孝珍 ,  李泰衡 ,  黄仁建

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；有源图案，其在所述衬底上沿第一水平方向延伸；多个纳米片，其彼此间隔开并沿垂直方向堆叠在所述有源图案上；栅电极，其在所述有源图案上沿与所述第一水平方向不同的第二水平方向延伸，所述栅电极围绕所述多个纳米片；源极/漏极区，其在所述有源图案上设置在所述栅电极的至少一侧上，所述源极/漏极区包括掺杂有金属的第一层以及设置在所述第一层上的第二层；以及内部间隔物，其设置在所述栅电极和所述第一层之间，所述内部间隔物接触所述第一层并且包括通过氧化所述金属形成的所述金属的金属氧化物。

公开(公告)号：CN117253921A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310669149.8

申请日：2023-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  李商文 ,  金真范 ,  南勇准

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：在第一方向上延伸的下图案；第一阻挡结构，其在所述下图案上，并且包括至少一个第一阻挡膜，所述第一阻挡膜包括掺氧晶体硅膜；源极/漏极图案，其在所述第一阻挡结构上；以及栅极结构，其在所述下图案上在第二方向上延伸并且包括栅电极和栅极绝缘膜。还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：CN115566050A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210471876.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李商文 ,  金真范 ,  金孝珍 ,  南勇准 ,  郑秀珍

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括在衬底上在第一横向方向上延伸的鳍型有源区。栅极线在鳍型有源区上在第二横向方向上延伸。第二横向方向与第一横向方向交叉。沟道区在衬底和栅极线之间。源极/漏极区在鳍型有源区上与栅极线相邻，并具有面对沟道区的侧壁。超晶格阻挡物在衬底和沟道区之间。超晶格阻挡物与源极/漏极区接触。超晶格阻挡物具有包括掺有氧原子的半导体层的多个第一子层和包括未掺杂的半导体层的多个第二子层被交替堆叠的结构。