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公开(公告)号：CN1317768C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200310113815.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L29/02 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。
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公开(公告)号：CN1518108A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410002585.7
申请日：2004-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42328 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供一种硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5－2倍。
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公开(公告)号：CN1501503A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310113815.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L29/02 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100383976C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410079460.4
申请日：2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/14
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0466
Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN1734773A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510092281.9
申请日：2005-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5621 , H01L27/0688 , H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系。
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公开(公告)号：CN1607668A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410095200.6
申请日：2004-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。
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公开(公告)号：CN1125439C
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN95109191.3
申请日：1995-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/255 , G11B5/1871 , G11B5/455 , G11B5/53 , G11B33/10 , Y10T29/49048 , Y10T29/49055 , Y10T29/49057
Abstract: 一种用于制造磁头的方法，该磁头用于在或从磁记录介质，例如录象带上记录或重放信息，该方法包括，制备具有同磁带相接触的一接触面的一片磁芯，该磁芯有一用于形成泄漏磁场的间隙，利用离子蚀刻方法对该片磁芯的接触面进行抛光，该离子蚀刻即是用离子碰撞该接触面。在接触面上形成保护层，该保护层是由具有高度表面润滑特性和良好的抗磨损特性的材料制成。用上述方法，磁头污染降低，磁头寿命延长和磁记录和重放特能得到改进。
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公开(公告)号：CN1323066A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01117737.3
申请日：2001-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , G11C11/4197
Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器,通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压,利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间,控制代表信息的碳素物质的尺寸。
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