公开(公告)号：CN119133142A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410318738.6

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑞祐 ,  李义福

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括下接线结构、在下接线结构上并包括上接线沟槽的上层间绝缘膜以及在上接线沟槽中的上接线结构。上接线结构包括上阻挡结构和在上阻挡结构上的上填充膜。上阻挡结构包括沿着上接线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分和沿着上接线沟槽的底面延伸的底部分。上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜。上阻挡结构的侧壁部分包括二维材料(2D材料)，并且上阻挡结构的底面没有二维材料。

公开(公告)号：CN118263250A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311582590.9

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  宋文均

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括：鳍状图案；场绝缘膜，该场绝缘膜覆盖鳍状图案的侧壁；源极/漏极图案，该源极/漏极图案设置在鳍状图案的上表面上；源极/漏极蚀刻停止膜，该源极/漏极蚀刻停止膜沿着场绝缘膜的上表面和源极/漏极图案的侧壁延伸；源极/漏极接触，该源极/漏极接触连接到源极/漏极图案；掩埋导电图案，该掩埋导电图案穿透衬底且连接到源极/漏极接触，该掩埋导电图案的一部分设置在场绝缘膜内；以及后布线线路，该后布线线路连接到掩埋导电图案。场绝缘膜包括第一场填充膜和第一场停止膜。第一场停止膜设置在第一场填充膜与衬底之间。第一场停止膜包括对于第一场填充膜具有蚀刻选择性的材料。

公开(公告)号：CN108231727B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201711292996.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及接触插塞。一种半导体器件具有高的电连接可靠性并且包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。

公开(公告)号：CN109786357A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811292012.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐顺硕 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  李义福

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连。

公开(公告)号：CN108231727A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711292996.8

申请日：2017-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及接触插塞。一种半导体器件具有高的电连接可靠性并且包括：基底基板，具有连接目标层；下接触插塞，形成在基底基板之上并电连接到连接目标层；以及上接触插塞，形成在下接触插塞之上，其中下接触插塞包括：下插塞层，具有从下插塞层的顶部分向内延伸的间隙部分；间隙覆盖层，填充间隙部分；以及上覆盖层，覆盖下插塞层的顶表面。

公开(公告)号：CN109786357B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN201811292012.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐顺硕 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  李义福

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；第一层间绝缘膜，设置在所述衬底上并且包括第一区域以及在所述第一区域上方的第二区域；蚀刻停止膜，位于所述第一层间绝缘膜上；第二层间绝缘膜，位于所述蚀刻停止膜上；第一上布线，位于所述第二层间绝缘膜、所述蚀刻停止膜、以及所述第一层间绝缘膜的所述第二区域中，并且所述第一上布线与所述下布线间隔开；以及通孔，位于所述第一层间绝缘膜的所述第一区域中，并且所述通孔将所述下布线与所述第一上布线相连。

公开(公告)号：CN110120381B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201810895555.5

申请日：2018-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  白宗玟 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的下绝缘层。导电图案形成在下绝缘层中。中间绝缘层设置在下绝缘层和导电图案上。通路控制区域形成在中间绝缘层中。上绝缘层设置在中间绝缘层和通路控制区域上。通路插塞形成为穿过通路控制区域并连接到导电图案。通路控制区域具有比中间绝缘层低的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN115602687A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793148.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  卢宣颖 ,  张瀚珉

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。

公开(公告)号：CN114388432A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110978915.X

申请日：2021-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  徐训硕 ,  裵泰龙

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了包括自对准超级过孔的过孔结构及其制造方法。一种半导体装置结构包括：至少一个金属间层，在竖直方向上堆叠；以及第一过孔结构，穿透所述至少一个金属间层，其中，在所述至少一个金属间层中，所述第一过孔结构的第一竖直侧不接触阻挡金属图案，而第一过孔结构的与第一过孔结构的第一竖直侧相对的第二竖直侧接触阻挡金属图案。

公开(公告)号：CN108573949B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201810076683.7

申请日：2018-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  朴水贤 ,  安商燻 ,  李义福 ,  姜成进 ,  徐训硕 ,  吴赫祥 ,  李禹镇

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。